[发明专利]固体拍摄装置以及照相机模块有效
申请号: | 201210055899.8 | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN102683363A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 小笠原隆行;上野梨纱子 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B5/20;G03B17/12;H04N5/225;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;周春燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 拍摄 装置 以及 照相机 模块 | ||
1.一种固体拍摄装置,具有:
像素阵列,其中具备光电转换元件的多个像素单元配置为阵列状,按每个所述像素单元分担检测各色光的信号等级;以及
红外光除去部,其从向所述光电转换元件行进的光中除去红外光;
其中,所述红外光除去部按每个所述像素单元而设置,被设定与作为所述像素单元的检测对象的色光相应的选择波长。
2.如权利要求1所述的固体拍摄装置,具有:
滤色器,其按每个所述像素单元与作为所述像素单元的检测对象的色光相对应地设置,选择性地使向所述光电转换元件行进的光中作为所述检测对象的色光透射。
3.如权利要求2所述的固体拍摄装置,其中:
所述红外光除去部具备下述波长特性:与所述滤色器的分光透射率对于作为所述检测对象的色光成为最大的波长相比,在长波长侧的范围内,遮挡所述滤色器的分光透射率随着波长变长而上升的波长区域的光。
4.如权利要求2所述的固体拍摄装置,其中:
所述红外光除去部与所述滤色器形成为一体。
5.如权利要求4所述的固体拍摄装置,具有:
将所述红外光除去部以及所述滤色器设为一体而成的光子滤色器。
6.如权利要求1所述的固体拍摄装置,具有:
将向所述光电转换元件行进的光会聚的微透镜;
其中,所述红外光除去部配置于所述微透镜与所述光电转换元件之间的光路中。
7.如权利要求1所述的固体拍摄装置,其中:
所述红外光除去部使用无机材料构成。
8.如权利要求5所述的固体拍摄装置,其中:
所述光子滤色器使用无机材料构成。
9.如权利要求1所述的固体拍摄装置,其中:
所述像素阵列按照色排列而排列有各色光用的所述像素单元。
10.如权利要求1所述的固体拍摄装置,其中:
所述多个像素单元包含分担检测作为可见光的各色光的信号等级的可见光用像素单元和检测红外光的红外光用像素单元;
所述红外光除去部按每个所述可见光用像素单元而设置,被设定与作为所述可见光用像素单元的检测对象的色光相应的选择波长。
11.如权利要求10所述的固体拍摄装置,具有:
滤色器,其按每个所述可见光用像素单元与作为所述可见光用像素单元的检测对象的色光相对应地设置,选择性地使向所述光电转换元件行进的光中作为所述检测对象的色光透射;以及
红外透射滤光器,其设置于所述红外光用像素单元,选择性地使向所述光电转换元件行进的光中的所述红外光透射。
12.如权利要求11所述的固体拍摄装置,其中:
所述红外光除去部以及所述滤色器具备遮挡所述红外透射滤光器进行透射的波长区域的光的波长特性。
13.如权利要求10所述的固体拍摄装置,具有:
各色用像素阵列,其是所述可见光用像素单元按每种色成分而配置的、每种色光的所述像素阵列;以及
红外光用像素阵列,其是配置有所述红外光用像素单元的所述像素阵列。
14.如权利要求1所述的固体拍摄装置,其中:
所述多个像素单元包含分担检测作为可见光的各色光的信号等级的可见光用像素单元和检测紫外光的紫外光用像素单元;
所述红外光除去部按每个所述可见光用像素单元而设置,被设定与作为所述可见光用像素单元的检测对象的色光相应的选择波长。
15.如权利要求14所述的固体拍摄装置,具有:
滤色器,其按每个所述可见光用像素单元与作为所述可见光用像素单元的检测对象的色光相对应地设置,选择性地使向所述光电转换元件行进的光中作为所述检测对象的色光透射;以及
紫外透射滤光器,其设置于所述紫外光用像素单元,选择性地使向所述光电转换元件行进的光中的所述紫外光透射。
16.如权利要求15所述的固体拍摄装置,其中:
所述红外光除去部以及所述滤色器具备遮挡所述紫外透射滤光器进行透射的波长区域的光的波长特性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的