[发明专利]固体拍摄装置以及照相机模块有效
申请号: | 201210055899.8 | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN102683363A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 小笠原隆行;上野梨纱子 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B5/20;G03B17/12;H04N5/225;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;周春燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 拍摄 装置 以及 照相机 模块 | ||
本申请享有2011年3月16日申请的日本专利申请2011-057481以及2011年6月27日申请的日本专利申请2011-141717的优先权的利益,在本申请中引用该日本专利申请的全部内容。
技术领域
本实施方式一般涉及固体拍摄装置以及照相机模块。
背景技术
以往,在照相机模块中,设置有用于使可见光透射而除去红外光的红外光(IR)截止滤光器。通常,图像传感器的像素单元中所使用的光电转换元件的感光度一直到近红外波长区域。照相机模块通过利用IR截止滤光器将近红外光除去,能够抑制色再现性的劣化。
对于在每个像素单元分担检测各色光例如R(红)、G(绿)以及B(蓝)的信号等级的像素阵列,以往,IR截止滤光器的波长特性对于全部像素阵列被设为一定。在将IR截止滤光器的透射波长区域的上限设定为短波长侧时,关于短波长侧的色光,不能除去截止的光减少,能够抑制由不需要吸收成分引起的色再现性的劣化,与此相对,关于长波长侧的色光的感光度下降。在将IR截止滤光器的透射波长区域的上限设定为长波长侧时,关于长波长侧的色光的感光度大幅度增加,与此相对,关于短波长侧的色光,会导致由不需要吸收成分的增加引起的色再现性的劣化。
发明内容
本发明要解决的课题是提供能够抑制色再现性的下降的固体拍摄装置以及照相机模块。
实施方式的固体拍摄装置具有:像素阵列,其中具备光电转换元件的多个像素单元配置为阵列状,按每个所述像素单元分担检测各色光的信号等级;以及红外光除去部,其从向所述光电转换元件行进的光中除去红外光;其中,所述红外光除去部按每个所述像素单元而设置,被设定与作为所述像素单元的检测对象的色光相应的选择波长。
其他的实施方式的照相机模块具有:透镜单元,其获取来自被拍摄体的光,使被拍摄体像成像;以及固体拍摄装置,其对所述被拍摄体像进行拍摄;其中,所述固体拍摄装置具有:像素阵列,其中具备光电转换元件的多个像素单元配置为阵列状,按每个所述像素单元分担检测各色光的信号等级;以及红外光除去部,其从向所述光电转换元件行进的光中除去红外光;所述红外光除去部按每个所述像素单元而设置,被设定与作为所述像素单元的检测对象的色光相应的选择波长。
根据上述结构的固体拍摄装置以及照相机模块,能够抑制色再现性的下降。
附图说明
图1是表示作为第1实施方式的固体拍摄装置的图像传感器的概略结构的示意图。
图2是表示具备图1所示的图像传感器的照相机模块的概略结构的框图。
图3是表示作为具备图2所示的照相机模块的电子设备的数字照相机的结构的框图。
图4是表示DSP的结构的框图。
图5是对滤色器以及IR截止滤光器的分光特性进行说明的图。
图6是表示作为第2实施方式的固体拍摄装置的图像传感器的概略结构的示意图。
图7是光子滤色器的剖面示意图。
图8是对作为第3实施方式的固体拍摄装置的图像传感器中的像素单元的排列进行说明的图。
图9是对拜耳排列进行说明的图。
图10是对各像素单元中的分光特性进行说明的图。
图11是表示在不足色成分的信号值的生成中参照已得色成分的信号值的像素的例子的图。
图12是第4实施方式的照相机模块的立体概略图。
图13是图像传感器的俯视示意图。
图14是对作为第5实施方式的固体拍摄装置的图像传感器中的像素单元的排列进行说明的图。
图15是对各像素单元中的分光特性进行说明的图。
图16是表示在不足色成分的信号值的生成中参照已得色成分的信号值的像素的例子的图。
图17是第5实施方式的变形例的照相机模块的立体概略图。
图18是图像传感器的俯视示意图。
具体实施方式
根据实施方式,固体拍摄装置具有像素阵列以及红外光除去部。像素阵列其多个像素单元配置为阵列状。像素单元具备光电转换元件。像素阵列按每个像素单元分担检测各色光的信号等级。红外光除去部从向光电转换元件行进的光中除去红外光。红外光除去部按每个像素单元而设置。红外光除去部被设定与作为像素单元的检测对象的色光相应的选择波长。
下面参照附图,对实施方式的固体拍摄装置以及照相机模块进行详细说明。另外,本发明并不限定于这些实施方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的