[发明专利]发光元件、发光装置、显示装置和电子设备无效
申请号: | 201210055917.2 | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN102683604A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 三矢将之 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金世煜;苗堃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 装置 显示装置 电子设备 | ||
1.一种发光元件,其特征在于,具有:
阳极,
阴极,
发光层,设置在所述阳极和所述阴极之间,通过在所述阳极和所述阴极之间通电而发光,
电子输送层,设置在所述阴极和所述发光层之间,将电子从所述阴极输送到所述发光层;
所述电子输送层具备相互接触的n型电子输送层和缓冲层,并且以如下方式构成:
所述n型电子输送层含有第1电子输送性材料和电子注入性材料,设置在所述阴极侧,
所述缓冲层含有第2电子输送性材料,设置在所述发光层侧,
从而具有抑制所述电子注入性材料从所述n型电子输送层向所述发光层扩散的功能。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其中,分别选择所述第1电子输送性材料和所述第2电子输送性材料的种类以使所述电子注入性材料在所述缓冲层中扩散难于在所述n型电子输送层中扩散。
3.根据权利要求1或2所述的发光元件,其中,分别选择所述第1电子输送性材料和所述第2电子输送性材料以使它们的电子迁移率为所述第1电子输送性材料的电子迁移率较高。
4.根据权利要求2或3所述的发光元件,其中,选择不含金属的有机化合物作为所述第1电子输送性材料,选择有机金属配位化合物作为所述第2电子输送性材料。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的发光元件,其中,所述电子注入性材料是碱金属、碱土金属、碱金属化合物和碱土金属化合物中的至少一种。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的发光元件,其中,所述缓冲层的平均膜厚为3.0nm~20.0nm。
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的发光元件,其中,所述n型电子输送层中的所述电子注入性材料的含量为0.3wt%~2.0wt%。
8.一种发光装置,其特征在于,具备权利要求1~7中的任一项所述的发光元件。
9.一种显示装置,其特征在于,具备权利要求8所述的发光装置。
10.一种电子设备,其特征在于,具备权利要求9所述的显示装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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