[发明专利]发光元件、发光装置、显示装置和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及发光元件、发光装置、显示装置和电子设备。

背景技术

有机电致发光元件(即有机EL元件)是具有在阳极和阴极间插入至少1层发光性有机层的结构的发光元件。对于这种发光元件，通过在阴极和阳极之间施加电场，将电子从阴极侧注入到发光层并且将空穴从阳极侧注入到发光层，在发光层中电子和空穴再次结合而生成激子，在该激子返回基态时，对应量的能量作为光被释放。

作为这种发光元件，例如已知设置含有电子输送性材料和电子供体性材料的n型电子输送层作为在阴极和发光层之间配置的电子输送层的发光元件(例如，参照专利文献1)。

在该发光元件中，由于在n型电子输送层中含有电子供体性材料，所以能够将电子有效率地从阴极注入到n型电子输送层，同时电子输送性材料从电子注入性材料接受电子，从而成为自由基负离子状态，所以发光元件可在低电压下驱动。

然而，该具备n型电子输送层的发光元件存在如下问题，当在恒定电流下进行连续驱动时，伴随着时间的推移，n型电子输送层中含有的电子供体性材料扩散至邻近的发光层，结果导致发光元件的亮度寿命降低。

专利文献1：日本特开平10-270171号公报

发明内容

本发明的目的在于提供可在低电压下驱动、并且实现了长寿命化的发光元件，具备该发光元件的发光装置、显示装置以及电子设备。

该目的通过下述的本发明而达成。

本发明的发光元件，其特征在于，具有：

阳极，

阴极，

设置在所述阳极和所述阴极之间的、通过在所述阳极和所述阴极之间通电而发光的发光层，

设置在所述阴极和所述发光层之间的、将电子从所述阴极输送到所述发光层的电子输送层；

所述电子输送层具备相互接触的n型电子输送层和缓冲层，并且以如下方式构成：

所述n型电子输送层含有第1电子输送性材料和电子供体性材料，设置在所述阴极侧，

所述缓冲层含有第2电子输送性材料，设置在所述发光层侧，

从而具有抑制所述电子供体性材料从所述n型电子输送层向所述发光层扩散的功能。

根据这样的本发明的发光元件，由于可确实地抑制或防止n型电子输送层中含有的电子供体性材料向发光层扩散，因此能够得到可在低电压下驱动、并且实现了长寿命化的发光元件。

在本发明的发光元件中，优选分别选择所述第1电子输送性材料和所述第2电子输送性材料的种类以使所述电子供体性材料在所述缓冲层中扩散难于在所述n型电子输送层中扩散。

由此，更有效地得到将电子注入性材料封闭于n型电子输送层中的效果。

在本发明的发光元件中，优选分别选择所述第1电子输送性材料和所述第2电子输送性材料以使它们的电子迁移率为所述第1电子输送性材料的电子迁移率较高。

由此，可较低地设定发光元件的驱动电压的上升。

在本发明的发光元件中，优选选择不含金属的有机化合物作为所述第1电子输送性材料、选择有机金属配位化合物作为所述第2电子输送性材料。

由此，能够确实地抑制或防止电子供体性材料向发光层扩散、以及发光元件的驱动电压的上升。

在本发明的发光元件中，优选所述电子供体性材料是碱金属、碱土金属、碱金属化合物和碱土金属化合物中的至少一种。

这种电子供体性材料具有优异的电子注入性。因此，可以有效率地将从阴极供给的电子注入到发光层。

在本发明的发光元件中，优选所述缓冲层的平均膜厚为3.0nm～20.0nm。

由此，能够确实地抑制电子供体性材料从n型电子输送层向发光层扩散，并且能够确实地抑制发光元件的驱动电压的上升。

在本发明的发光元件中，优选所述n型电子输送层中的所述电子供体性材料的含量为0.3wt％～2.0wt％。

通过使电子注入性材料的含量在该范围内，能够较低地设定电子注入性材料向发光层的扩散倾向。

本发明的发光装置，其特征在于，具备本发明的发光元件。

由此，可以提供即使是恒定电流下的长时间驱动，也能够抑制驱动电压上升的发光装置。

本发明的显示装置，其特征在于，具备本发明的发光装置。

由此，可以提供能够稳定驱动、可靠性优异的显示装置。

本发明的电子设备，其特征在于，具备本发明的显示装置。

由此，可以提供可靠性优异的电子设备。

附图说明

图1是模式地表示本发明优选的实施方式涉及的发光元件的纵截面的图。