[发明专利]玻璃晶圆切割方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种玻璃晶圆(Chip Scale Package Glass，简称CSPG)的切割方法。

背景技术

随着无线通讯技术的发展，对集成电路技术提出了很高的要求，尤其是通讯设备日趋小型化使半导体芯片技术得到了迅猛的发展。在高频和射频领域中，如无线通讯，玻璃晶圆(CSPG)工件应运而生，其特别多地应用于手机元器件上。

晶圆加工工艺流程一般经过晶体生长、切断、外径滚磨、平边、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、包装等阶段。近年来光伏发电和半导体行业的迅速发展对晶圆的加工提出了更高的要求：一方面为了降低制造成本，晶圆趋向大直径化。另一方面要求晶圆有极高的平面度精度和极小的表面粗糙度。所有这些要求极大的提高了晶圆的加工难度。

晶圆切割作为晶圆加工工艺流程的关键工序，其加工效率和加工质量直接关系到整个晶圆生产的全局。对于切割工艺技术的原则要求是：①.切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小；②.断面完整性好，消除拉丝、刀痕和微裂纹；③.提高成品率，缩小刀切缝，降低原材料损耗；④.提高切割速度，实现自动化切割。因此，在切割晶圆的过程中，产品的合格率是很重要的指标。

玻璃晶圆(CSPG)更具有硬度高、易碎等特点，其切割难度在所有晶圆产品中是最大的。并且，与其它晶圆不同的是，为满足手机元器件的特殊要求，在玻璃晶圆背面，通常会贴有一层黑膜(COATING FILM)，这层黑膜经过高温贴膜工艺后固化在晶圆背面形成了特殊的加工工件。在进行切割工艺前，与别的晶圆切割工艺相同的是，通常还需要经过贴片工艺把具有该黑膜的玻璃晶圆的背后再贴一层蓝膜，该层蓝膜在切割工艺后需与黑膜剥落。

在现有技术的玻璃晶圆加工工艺中，在切割工位把晶圆切割成单个芯片后，然后通过外观检查、电测，最后把合格的芯片成品进行包装；其中，切割玻璃晶圆(CSPG)传统工艺一般是用双刀一刀切断切割方法。

请参阅图1，图1为现有技术的双刀一刀切断切割方法一实施例的示意图。如图所示，在切割过程中，首先，第一刀具Z1和第二刀具Z2相向进给，即其切割顺序是分别由工件边缘向中间相向切割，每次进给距离为一个工件尺寸的距离，当第一刀具Z1和第二刀具Z2分别进给并切割到位置103与位置104时，位置103与位置104之间的距离102大于或等于第一刀具Z1和第二刀具Z2之间安全距离的2倍。此时，第二刀具Z2以前进距离102的1/2进给到位置105，接下来，第二刀具Z2以与第一刀具Z1相同的方向，即与第一刀具Z1同向进给，每次进给距离仍为一个工件尺寸的距离，切完晶圆上未切割的部分。

请参阅图2，图2为现有技术的使用双刀一刀切断切割方法对工件进行切割处理时第一刀具Z1和第二刀具Z2与待加工工件W(即玻璃晶圆)相对位置的剖面示意图。如图所示，玻璃晶圆W的背面依次贴有黑膜F1和蓝膜F2，第一刀具Z1和第二刀具Z2采用预定的转速C1分别将玻璃晶圆W和黑膜F2一刀切断且停止于蓝膜F1中，该切割深度由图2中标号101所示。

上述双刀一刀切断切割方法主要是针对晶圆厚度薄，对控制表面和背面崩边要求不高的工件。而对控制崩边要求较高的场合，例如，在切割贴有黑膜的玻璃晶圆时，以传统方法切割后很难避免黑膜脱落并残留在蓝膜上的问题，且在剥落过程中的应力影响下，容易出现玻璃晶圆背面崩边问题，这些问题的出现必然增加了包装生产时间，降低了生产效率，严重影响了产品质量，并造成外观检查产品表面成品率低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种玻璃晶圆切割方法，能有效地控制崩边、避免玻璃晶圆背面黑膜脱落并残留在蓝膜上，从而提高了玻璃晶圆切割效率。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：