[发明专利]锗基赝砷化镓衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201210057303.8 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102543693A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 周旭亮;于红艳;潘教青;朱洪亮;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锗基赝砷化镓 衬底 制备 方法 | ||
1.一种锗基赝砷化镓衬底的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：清洗锗衬底，放入MOCVD设备的反应室；
步骤2：采用700℃高温处理锗衬底；
步骤3：采用MOCVD的方法，在锗衬底上外延生长缓冲层；
步骤4：在缓冲层上，生长赝GaAs层，完成材料的制备。
2.根据权利要求1所述的锗基赝砷化镓衬底的制备方法，其中锗衬底为n型低阻(001)锗，偏[110]4°，电阻率为0.01-0.1欧姆·厘米。
3.根据权利要求1所述的锗基赝砷化镓衬底的制备方法，其中清洗是采用5％的HF和5％的H2O2循环洗三遍，最后用5％的HF清洗，每种溶液的清洗时间是30s。
4.根据权利要求1所述的锗基赝砷化镓衬底的制备方法，其中高温处理锗衬底的时间是20min。
5.根据权利要求1所述的锗基赝砷化镓衬底的制备方法，其中缓冲层的材料为GaAs，赝GaAs层的材料为与Ge晶格匹配的InGaAs。
6.根据权利要求5所述的锗基赝砷化镓衬底的制备方法，其中生长缓冲层的条件是，反应室压力100mBar，叔丁基二氢砷和三乙基镓为原料，生长过程中叔丁基二氢砷和三乙基镓的输入摩尔流量比V/III在40-50之间，生长速率在0.1-0.3nm/s，厚度100nm，温度在400-450℃温度下降到生长温度后，先通叔丁基二氢砷5min。
7.根据权利要求5所述的锗基赝砷化镓衬底的制备方法，其中生长赝GaAs层，即与Ge晶格匹配的InGaAs层，其生长条件是，砷烷、三甲基铟和三甲基镓为原料，生长过程中输入摩尔流量比V/III在30-50之间，温度为620-650℃，生长速率为0.5-1.0nm/s，厚度为2微米。
8.根据权利要求5所述的锗基赝砷化镓衬底的制备方法，其中缓冲层和赝GaAs层为用双硅烷重掺杂，掺杂浓度大于1×1018cm-3。
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