[发明专利]显示器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210057909.1 | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102610605A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示器件，包括：
衬底之上的栅电极；
所述栅电极之上的栅极绝缘膜；
所述栅极绝缘膜之上的岛状半导体膜；
所述岛状半导体膜之上的导电层，所述导电层电连接到所述岛状半导体膜；
所述栅极绝缘膜之上的透明导电膜；以及
所述透明导电膜之上并与所述透明导电膜接触的金属膜，所述金属膜电连接到所述导电层，
其中所述透明导电膜是边缘场开关模式液晶显示器件的像素电极。
2.一种电子器件，包括：
根据权利要求1所述的显示器件；
扬声器；
麦克风；以及
开关。
3.一种显示器件，包括：
衬底之上的栅电极；
所述栅电极之上的栅极绝缘膜；
所述栅极绝缘膜之上的岛状半导体膜；
所述岛状半导体膜之上的导电层，所述导电层电连接到所述岛状半导体膜；
所述栅极绝缘膜之上的透明导电膜；以及
所述透明导电膜之上并与所述透明导电膜接触的金属膜，所述金属膜电连接到所述导电层，
其中所述透明导电膜包括其厚度比接触所述金属膜的部分的厚度小的部分。
4.根据权利要求3所述的显示器件，
其中所述透明导电层是边缘场开关模式液晶显示器件的像素电极。
5.一种电子器件，包括：
根据权利要求4所述的显示器件；
扬声器；
麦克风；以及
开关。
6.一种显示器件，包括：
衬底之上的栅电极；
所述栅电极之上的栅极绝缘膜；
所述栅极绝缘膜之上的岛状半导体膜；
所述岛状半导体膜之上的导电层，所述导电层电连接到所述岛状半导体膜；
所述栅极绝缘膜之上的透明导电膜；以及
所述透明导电膜之上并与所述透明导电膜接触的金属膜，所述金属膜电连接到所述导电层，
其中所述透明导电膜和所述金属膜各自具有不同的尖角。
7.根据权利要求6所述的显示器件，
其中所述透明导电层是边缘场开关模式液晶显示器件的像素电极。
8.一种电子器件，包括：
根据权利要求6所述的显示器件；
扬声器；
麦克风；以及
开关。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
