[发明专利]显示器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及具有像素电极的半导体器件，特别涉及显示器件。

背景技术

当制造有源矩阵型显示器件时，一般情况，形成与薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)的半导体膜连接的布线，在该布线上形成用作像素电极的导电膜.因此，需要用于形成布线的抗蚀剂掩模和用于形成像素电极的抗蚀剂掩模.

此外，其他示例如下：形成与TFT的半导体膜连接的导电膜，并使该导电膜用作像素电极，在该导电膜上形成金属膜(例如专利文献1)。这与上述示例不同，采用透明导电膜作为导电膜，透明导电膜与半导体膜直接连接。由于有很多情况透明导电膜的材料的电阻高，所以为了补偿透明导电膜的电阻大，在透明导电膜上形成金属膜。

在使透明导电膜与半导体膜直接连接的专利文献1中，也必须要用于蚀刻透明导电膜而形成像素电极的抗蚀剂掩模和用于蚀刻金属膜的抗蚀剂掩模。

[专利文献1]特开平6-230425号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在常规的有源矩阵型显示器件中，当形成叠层布线时，对于每个层分别需要抗蚀剂掩模.特别是，当形成像素电极时，叠层结构的情况很多，至少需要用于形成像素电极的抗蚀剂掩模和用于蚀刻层叠于像素电极的膜的抗蚀剂掩模，因此需要很多制造工序。因此，半导体器件如显示器件的制造成本不会降低.

由此，本发明的目的在于通过使用一个抗蚀剂掩模形成像素电极和叠层于像素电极的膜，缩短制造工序。

解决课题的方法

本发明的特征之一是一种显示器件，包括：在衬底上的薄膜晶体管；与薄膜晶体管电连接的像素电极；以及在像素电极上接触的金属膜，其中金属膜覆盖像素电极具有的台阶部分并与像素电极接触.

根据该结构，可以防止像素电极在台阶部分中破裂。破裂指如下状态：在具有台阶部分的面上形成膜导致膜在台阶部分产生裂缝；在台阶部分中，膜的覆盖性不好，即一部分没有形成膜。

本发明的特征之一是一种显示器件，包括：在衬底上的薄膜晶体管；与薄膜晶体管电连接的像素电极；以及在像素电极上接触的金属膜，其中金属膜的平面面积比像素电极小，并且金属膜的侧面配置为沿着所述像素电极的侧面，金属膜的侧面位置在所述像素电极的侧面的内侧。

根据该结构，可以使用金属膜作为遮光膜的一部分，从而可以容易调整遮光膜的位置。

本发明的特征之一是一种显示器件，包括：在衬底上的薄膜晶体管；与薄膜晶体管电连接的像素电极；在像素电极上的一部分接触的金属膜；形成在像素电极及所述金属膜上且使所述像素电极的一部分露出的隔壁；与隔壁及所述像素电极接触地形成的电场发光层；以及在电场发光层上的电极，其中金属膜的至少一个侧面倾斜且被隔壁覆盖。

根据该结构，在电场发光显示器件中，可以防止发光元件的短路.

使用一个抗蚀剂图案可以形成像素电极和与像素电极的一部分接触的金属膜。由于使用一个抗蚀剂图案形成像素电极和金属膜这两个图案，可以缩短制造工序，以实现低成本的显示器件.

发明效果

根据本发明，与现有技术相比，可以减少制造工序，并可以降低半导体器件的制造成本。此外，由于在像素电极上接触地形成金属膜，可以防止像素电极在台阶部分产生破裂。因此，可以提供廉价、显示问题少、且可靠性高的显示器件.

附图说明

图1A至1C是表示半导体器件的制造工序的剖面图(实施方式1)；

图2A至2C是表示半导体器件的制造工序的剖面图(实施方式1)；

图3是表示半导体器件的俯视图(实施方式1)；

图4A和4B是表示半导体器件的制造工序的剖面图(实施方式1)；

图5A至5C是表示半导体器件的制造工序的剖面图(实施方式2)；

图6A至6C是表示半导体器件的制造工序的剖面图(实施方式2)；

图7是表示半导体器件的俯视图(实施方式2)；

图8是表示半导体器件的制造工序的剖面图(实施方式2)；

图9A至9D是表示半导体器件的制造工序的剖面图(实施方式2)；

图10是表示半导体器件的剖面图(实施方式2)；

图11A至11D是表示曝光掩模的俯视图及光强度分布的图(实施方式3)；

图12A和12B是表示EL显示器件的俯视图及剖面图(实施方式4)；

图13A和13B是表示EL显示器件的俯视图及剖面图(实施方式4)；