[发明专利]晶片洗涤器和晶片洗涤方法有效
申请号: | 201210058350.4 | 申请日: | 2012-03-06 |
公开(公告)号: | CN103021904A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 章正欣;陈逸男;刘献文 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;邢雪红 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 洗涤器 洗涤 方法 | ||
1.一种晶片洗涤器,包括:
一腔室;
一支托盘,连接至一承轴,且位于该腔室中,其中该支托盘支撑一晶片;及
一吹气管,设置于该腔室的侧壁的顶部,其中该吹气管包括多个面向下的气体注射孔,以沿着该腔室的侧壁吹气,使来自该晶片的水更平顺地和迅速地沿着该腔室的侧壁流动,以避免水溅回至该晶片。
2.如权利要求1所述的晶片洗涤器,其中该支托盘包括多个气体注射孔,吹气至该晶片的背部,以避免水流至该晶片的背部。
3.如权利要求1所述的晶片洗涤器,其中该腔室的侧壁是以亲水性材料形成。
4.如权利要求1所述的晶片洗涤器,其中该支托盘是以电力或夹钳的方式固定住该晶片。
5.如权利要求1所述的晶片洗涤器,其中该晶片与该腔室的侧壁相隔的距离大体上为30mm~150mm。
6.如权利要求3所述的晶片洗涤器,其中通过该吹气管的吹气,该亲水性材料形成的腔室的侧壁干的更快,且增加该腔室的侧壁撷取的水量,以避免水溅回至该晶片。
7.如权利要求1所述的晶片洗涤器,其中该吹气管包围该腔室的侧壁的顶部。
8.如权利要求1所述的晶片洗涤器,其中该水是去离子水。
9.一种晶片洗涤方法,包括:
提供一晶片洗涤器,包括一腔室,一连接至一承轴且位于该腔室中的一支托盘,其中该支托盘支撑一晶片,及一设置于该腔室的侧壁顶部的吹气管;及
旋转该晶片,以移除其上的水,其中该吹气管沿着该腔室的侧壁吹气,使水更平顺地和迅速地沿着腔室的侧壁流动,以避免水溅回至该晶片。
10.如权利要求9所述的晶片洗涤方法,更包括吹气至该晶片的背面,以避免水流至该晶片的背面。
11.如权利要求9所述的晶片洗涤方法,其中该腔室的侧壁是由以亲水性材料形成。
12.如权利要求9所述的晶片洗涤方法,其中该支托盘是以电力或夹钳的方式固定住该晶片。
13.如权利要求9所述的晶片洗涤方法,其中该晶片与该腔室的侧壁相隔的距离大体上为30mm~150mm。
14.如权利要求11所述的晶片洗涤方法,其中通过该吹气管的吹气,该亲水性材料形成的腔室的侧壁干的更快,且增加该腔室的侧壁撷取的水量,以避免水溅回至该晶片。
15.如权利要求9所述的晶片洗涤方法,其中该吹气管包围该腔室的侧壁的顶部。
16.如权利要求9所述的晶片洗涤方法,其中该水是去离子水。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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