[发明专利]晶片洗涤器和晶片洗涤方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶片洗涤器，特别涉及一种高速旋转从晶片表面移除水的洗涤器和晶片洗涤方法。

背景技术

具有微结构的半导体元件制造需要高精密的技术。在工艺中，半导体元件的电路上的微粒子会降低半导体元件成品的可靠度。即使制造过程中的微粒污染不会影响半导体元件电路的功能，其仍然会导致在制造上遇到困难。因此，半导体元件需要在无尘的环境中制造，且半导体元件的表面需要进行清洗，以移除制造过程中所产生的微细颗粒。

请参照图1，一传统的晶片洗涤器包括一支撑晶片102的支托盘(holder)110和承轴(spindle)106。晶片102是在前一工艺阶段以去离子水108润湿，在此阶段中，晶片102和支托盘110以高速旋转，以从晶片102表面移除水108。然而，在此步骤会造成水108以相当高的速度离开晶片102表面，当晶片和腔室的侧壁相当近时，高速的水撞击腔室侧壁104会溅回至晶片，而溅回的水108会对晶片102造成不利的影响，产生微粒和晶粒破损的问题。

发明内容

根据上述，为解决现有技术的问题，本发明提供一种晶片洗涤器，包括：一腔室；一支托盘，连接至一承轴，且位于腔室中，其中支托盘支撑晶片；及一吹气管，设置于腔室的侧壁的顶部，其中吹气管包括多个面向下的气体注射孔，以沿着腔室的侧壁吹气，使来自晶片的水更平顺地和迅速地沿着腔室的侧壁流动，以避免水溅回至晶片。

本发明提供一种晶片洗涤方法，包括：提供一晶片洗涤器，包括一腔室，一连接至一承轴且位于腔室中的一支托盘，其中支托盘支撑晶片，及一设置于腔室的侧壁顶部的吹气管；及旋转晶片，以移除其上的水，其中吹气管沿着腔室的侧壁吹气，使水更平顺地和迅速地沿着腔室的侧壁流动，以避免水溅回至晶片。

本发明可以通过气流控制水的流动，避免溅回的水对晶片造成不利的影响，产生微粒和晶粒破损的问题，提高了晶片的良率。

为让本发明的特征能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1显示传统晶片洗涤器的剖面图。

图2揭示减少晶片上水溅回的一种方法。

图3A显示本发明一实施例晶片洗涤器的剖面图。

图3B显示本发明一实施例晶片洗涤器的立体图。

图4A显示本发明另一实施例晶片洗涤器的剖面图。

图4B显示本发明另一实施例晶片洗涤器的立体图。

【主要附图标记说明】

102～晶片；      104～腔室侧壁；

106～承轴；      108～水；

110～支托盘；    202～内杯；

204～水；        206～晶片；

302～支托盘；    304～承轴；

306～晶片；      308～吹气管；

309～排气管；    310～腔室；

311～气流；      312～腔室侧壁；

314～气体注射孔；316～水；

402～承轴；      404～支托盘；

406～腔室；      408～水；

409～气流；      410～腔室侧壁；

411～气流；      412～晶片；

414～夹钳；      416～吹气管；

417～排气管；      418～气体注射孔；

420～气体注射孔。

具体实施方式

以下详细讨论实施本发明的实施例。可以理解的是，实施例提供许多可应用的发明概念，其可以较广的变化实施。所讨论的特定实施例仅用来揭示使用实施例的特定方法，而不用来限定揭示的范畴。

以下内文中的“一实施例”是指与本发明至少一实施例相关的特定图样、结构或特征。因此，以下“在一实施例中”的叙述并不是指同一实施例。另外，在一或多个实施例中的特定图样、结构或特征可以适当的方式结合。值得注意的是，本说明书的附图并未按照比例示出，其仅用来揭示本发明。

图2显示减少晶片上水溅回的一种方法。请参照图2，由于内杯202(inner cup)内部的亲水性表面可减少水溅回的问题。因此，此方法改变内杯侧壁的材料，使其具有亲水表面，以避免水204溅回至晶片206，而产生微粒或晶粒破损的问题。然而，此方法不能完全解决水204溅回的问题。因此，需要一新颖的晶片洗涤器和相关方法以解决水溅回的问题。