[发明专利]CMOS工艺中的图案化步骤的选择性偏置补偿

权利要求书

1.一种方法，包括：

形成光刻胶图案；

对所述光刻胶图案的第一部分实施曝光，其中，所述光刻胶图案的第二部分未暴露于光；

将光酸反应材料涂布在所述光刻胶图案的所述第一部分和所述第二部分上；

所述光酸反应材料与所述光刻胶图案反应形成膜；以及

去除所述光酸反应材料的未与所述光刻胶图案反应的部分，其中，使所述膜留在所述光刻胶图案上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光刻胶图案的所述第一部分包含所述光刻胶图案的端部，其中，所述光酸反应材料与所述端部的侧壁相接触，并且其中，所述第二光刻胶图案的所述第二部分包含所述光刻胶图案的中部。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述光刻胶图案中包含沟槽，其中，所述光刻胶图案的所述第二部分包含与所述沟槽的端部邻近的部分，并且其中，所述光刻胶图案的所述第一部分包含与所述沟槽的中部邻近的部分。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括使用所述光刻胶图案和所述膜作为蚀刻掩模来蚀刻位于所述光刻胶图案下方的层，其中，去除所述层的位于所述沟槽正下方的部分以在所述层中形成沟槽。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光酸反应材料与所述光刻胶图案反应的步骤包括烘烤所述光酸反应材料和所述光刻胶图案。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括使用所述光刻胶图案和所述膜作为蚀刻掩模来蚀刻位于所述光刻胶图案下方的层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光酸反应材料包含光刻胶增强光刻辅助化学收缩(RELACE)。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光酸反应材料包含用于对所述光刻胶图案中的光酸进行淬火的淬火剂。

9.一种方法，包括：

在层上方形成光刻胶图案；

增加所述光刻胶图案的第一部分中的光酸的光酸浓度，其中，所述光刻胶图案的第二部分中的所述光酸的第二光酸浓度基本上没有增加；

将聚合物涂布在所述光刻胶图案的所述第一部分和所述第二部分上；

烘烤所述聚合物和所述光刻胶图案，其中，所述光刻胶图案中的所述光酸与所述聚合物反应形成膜，其中，与所述光刻胶图案的所述第一部分重叠的所述膜的第一部分具有第一厚度，并且其中与所述光刻胶图案的所述第二部分重叠的所述膜的第二部分具有小于所述第一厚度的第二厚度；

去除所述聚合物的未与所述光刻胶图案反应的部分；以及

使用所述光刻胶图案的所述第一部分和所述第二部分以及所述膜作为蚀刻掩模来蚀刻位于所述光刻胶图案下方的所述层。

10.一种方法，包括：

在衬底上方涂敷光刻胶；

在第一光刻胶曝光步骤中使所述光刻胶曝光；

使所述光刻胶显影形成光刻胶条；

在第二光刻胶曝光步骤中使所述光刻胶条的端部曝光，其中，所述光刻胶条的中部未被曝光；

在所述第二光刻胶曝光步骤之后，将光酸反应材料涂布在所述光刻胶条的所述端部和所述中部上，其中，所述光酸反应材料接触所述光刻胶条的侧壁；

烘烤所述光酸反应材料和所述光刻胶条，其中，所述光刻胶条中的所述光酸与所述光酸反应材料反应，形成不溶于水的膜；以及

在水中溶解所述光酸反应材料的未与所述光刻胶条反应的部分，其中，所述膜不溶于水。