[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：衬底；绝缘膜，所述绝缘膜嵌入到所述衬底中并且具有多个开口；多个虚拟扩散层，所述多个虚拟扩散层形成在所述衬底中并且位于所述开口中；多个电阻元件，所述多个电阻元件在电阻元件形成区域中形成在所述绝缘膜上方使得所述多个电阻元件在平面图中不与所述虚拟扩散层重叠并且在第一方向上延伸；和多个虚拟电阻元件，所述多个虚拟电阻元件在所述电阻元件形成区域中形成在所述绝缘膜和所述虚拟扩散层上方并且在所述第一方向上延伸；其中所述虚拟电阻元件中的每一个，在平面图中，在与所述衬底水平的平面中，与在垂直于所述第一方向的第二方向上对齐的至少两个所述虚拟扩散层重叠。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中在平面图中，所述虚拟电阻元件中的每一个与在所述第一方向上对齐的至少两个所述虚拟扩散层重叠。

3.根据权利要求1的半导体器件，其中在平面图中，所述虚拟扩散层形成在与所述虚拟电阻元件重叠的区域中和位于所述虚拟电阻元件之间的区域中。

4.根据权利要求3的半导体器件，其中排列所述虚拟扩散层，以便在平面图中，在与所述虚拟电阻元件重叠的区域和位于所述虚拟电阻元件之间的区域中，在所述第二方向上彼此相邻的两个所述虚拟扩散层之间的距离可以是恒定的。

5.根据权利要求1的半导体器件，其中在平面图中，所述虚拟扩散层形成在与所述虚拟电阻元件重叠的区域中，而没有形成在所述电阻元件形成区域中的其它区域中。

6.根据权利要求5的半导体器件，其中排列所述虚拟扩散层，以便在平面图中，在与所述虚拟电阻元件重叠的区域中，所述第二方向上彼此相邻的两个所述虚拟扩散层之间的距离可以是恒定的。

7.根据权利要求4的半导体器件，其中：所述虚拟扩散层形成在所述电阻元件形成区域的外部；并且排列形成在所述电阻元件形成区域外部的所述虚拟扩散层，以便在平面图中，在所述第二方向上彼此相邻的两个所述虚拟扩散层之间的距离可以等于形成在与所述虚拟电阻元件重叠的区域中的彼此相邻的两个所述虚拟扩散层之间的距离。

8.根据权利要求1的半导体器件，其中，在所述衬底的表面上方，形成在所述电阻元件形成区域中的所述虚拟扩散层所占的面积占所述电阻元件形成区域的面积的20％或更大。

9.根据权利要求1的半导体器件，其中所述半导体器件具有从所述电阻元件中的一个向所述第二方向突出的突部。

10.根据权利要求9的半导体器件，

其中所述半导体器件具有多个突部，并且

其中所述虚拟电阻元件和所述虚拟扩散层形成在所述突部中的一个和所述突部中的另一个之间。