[发明专利]一种MEMS和IC单片集成方法

权利要求书

1.一种MEMS和IC单片集成方法，包括以下步骤：

1)在基片上采用IC工艺在IC区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺，然后依次淀积氧化硅层和氮化硅层作为IC区域的保护层；

2)采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；

3)刻蚀去除IC区域的氮化硅保护层；

4)刻蚀IC区域的氧化硅保护层形成引线孔，然后淀积并图形化金属形成金属互连；

5)用光刻胶保护MEMS结构以外的区域，去除牺牲层，释放MEMS可动结构；

6)去除光刻胶，制得单片集成芯片。

2.如权利要求1所述的MEMS和IC单片集成方法，其特征在于，步骤1)所述基片为单晶硅片。

3.如权利要求1所述的MEMS和IC单片集成方法，其特征在于，步骤1)中采用低压化学气相淀积方法淀积氧化硅和氮化硅作为保护层。

4.如权利要求1所述的MEMS和IC单片集成方法，其特征在于，步骤2)先淀积牺牲层并图形化牺牲层，去除MEMS区域外的牺牲层后再淀积结构层并图形化结构层，得到MEMS结构。

5.如权利要求4所述的MEMS和IC单片集成方法，其特征在于，步骤2)所述牺牲层和结构层均采用低压化学气相淀积方法制备，所述牺牲层的材料为磷硅玻璃，所述结构层的材料为多晶硅。

6.如权利要求1所述的MEMS和IC单片集成方法，其特征在于，步骤3)在步骤2)之前或之后进行，或者在步骤2)制作MEMS结构的过程中进行，但必须在步骤4)之前完成。

7.如权利要求1所述的MEMS和IC单片集成方法，其特征在于，步骤3)刻蚀去除MEMS区域之外的所有氮化硅保护层，而剩余的MEMS区域图形化的氮化硅层用作后续MEMS结构释放的腐蚀自停止层和MEMS区域的电学隔离。

8.如权利要求1所述的MEMS和IC单片集成方法，其特征在于，步骤4)在IC区域干法刻蚀氧化硅保护层，形成引线孔。

9.如权利要求1所述的MEMS和IC单片集成方法，其特征在于，步骤4)中采用溅射或蒸发的方法淀积金属。

10.如权利要求1所述的MEMS和IC单片集成方法，其特征在于，步骤5)采用湿法腐蚀去除牺牲层。