[发明专利]读放大器

权利要求书

1.一种电路，包括：

第一节点，被配置为接收第一工作电压；

第二节点，被配置为接收第二工作电压；

读放大器，具有第一电源电压节点和第二电源电压节点；

至少一个第一晶体管，具有至少一个第一漏极、至少一个第一源极、以及至少一个第一栅极，所述至少一个第一漏极连接至所述第一电源电压节点，所述至少一个第一源极配置为接收所述第一工作电压；

至少一个第二晶体管，具有至少一个第二漏极，至少一个第二源极、以及至少一个第二栅极，所述至少一个第二漏极连接至所述第二电源电压节点，所述至少一个第二源极配置为接收所述第二工作电压；以及

以下电路中的至少一个：

第一控制电路，被配置为生成用于所述至少一个第一栅极的第一控制信号，所述第一控制信号能够具有低于所述第一工作电压的第一电压电平；以及

第二控制电路，被配置为生成用于所述至少一个第二栅极的第二控制信号，所述第二控制信号能够具有高于所述第二工作电压的第二电压电平。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，

所述第一控制电路包括：

第一控制PMOS晶体管，具有第一控制PMOS漏极、第一控制PMOS源极、以及第一控制PMOS栅极；

第一控制第一NMOS晶体管，具有第一控制第一NMOS漏极、第一控制第一NMOS源极、以及第一控制第一NMOS栅极；以及

第一控制第二NMOS晶体管，具有第一控制第二NMOS漏极、第一控制第二NMOS源极、以及第一控制第二NMOS栅极，

其中，

所述第一控制PMOS源极连接至第一电源电压源；

所述第一控制PMOS漏极连接至所述第一控制第一NMOS漏极和所述第一控制第二NMOS漏极，并且被配置为提供所述第一控制信号；

所述第一控制第一NMOS源极连接至第二电源电压源；

所述第一控制第二NMOS源极连接至第三电源电压源；以及

所述第三电源电压源能够提供小于所述第一工作电压的电压；

所述第二控制电路包括：

第二控制NMOS晶体管，具有第二控制NMOS漏极、第二控制NMOS源极、以及第二控制NMOS栅极；

第二控制第一PMOS晶体管，具有第二控制第一PMOS漏极、第二控制第一PMOS源极、以及第二控制第一PMOS栅极；以及

第二控制第二PMOS晶体管，具有第二控制第二PMOS漏极、第二控制第二PMOS源极、以及第二控制第二PMOS栅极，

其中，

所述第二控制第一PMOS源极连接至所述第一电源电压源；

所述第二控制第一PMOS漏极连接至所述第二控制NMOS漏极和所述第二控制第二PMOS源极，并且被配置为提供所述第二控制信号；

所述第二控制第二PMOS源极连接至第四电源电压源；

所述第二控制NMOS源极连接至所述第二电源电压源；以及

所述第四电源电压源能够提供高于所述第二工作电压的电压。

3.根据权利要求2所述的电路，其中，所述第一控制PMOS栅极、所述第一控制第一NMOS栅极、所述第一控制第二NMOS栅极、所述第二控制NMOS栅极、所述第二控制第一PMOS栅极、以及所述第二控制第二PMOS栅极中的每一个连接至不同的相应控制信号。

4.根据权利要求2所述的电路，其中，所述第三电源电压源和所述第四电源电压源被设置在动态随机存取存储器中。

5.根据权利要求1所述的电路，其中，所述电路被配置为满足以下条件中的至少一个：

当所述第一控制信号的所述第一电压电平小于所述第一工作电压时，基于通过所述至少一个第一晶体管的第一泄漏电流选择所述至少一个第一晶体管中的第一数量的第一晶体管；以及

当所述第二控制信号的所述第二电压电平大于所述第二工作电压时，基于通过所述至少一个第二晶体管的第二泄漏电流选择所述至少一个第二晶体管中的第二数量的第二晶体管。