[发明专利]读放大器

说明书

技术领域

本发明涉及读放大器。

背景技术

将读放大器大量用在嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)中。在某些应用中，来自读放大器的泄漏电流约占在存储器中的总泄漏量的30％。因此，需要减小泄漏电流。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种电路，包括：第一节点，被配置为接收第一工作电压；第二节点，被配置为接收第二工作电压；读放大器，具有第一电源电压节点和第二电源电压节点；至少一个第一晶体管，具有至少一个第一漏极、至少一个第一源极、以及至少一个第一栅极，至少一个第一漏极连接至第一电源电压节点，至少一个第一源极配置为接收第一工作电压；至少一个第二晶体管，具有至少一个第二漏极，至少一个第二源极、以及至少一个第二栅极，至少一个第二漏极连接至第二电源电压节点，至少一个第二源极配置为接收第二工作电压；以及以下电路中的至少一个：第一控制电路，被配置为生成用于至少一个第一栅极的第一控制信号，第一控制信号能够具有低于第一工作电压的第一电压电平；以及第二控制电路，被配置为生成用于至少一个第二栅极的第二控制信号，第二控制信号能够具有高于第二工作电压的第二电压电平。

其中，第一控制电路包括：第一控制PMOS晶体管，具有第一控制PMOS漏极、第一控制PMOS源极、以及第一控制PMOS栅极；第一控制第一NMOS晶体管，具有第一控制第一NMOS漏极、第一控制第一NMOS源极、以及第一控制第一NMOS栅极；以及第一控制第二NMOS晶体管，具有第一控制第二NMOS漏极、第一控制第二NMOS源极、以及第一控制第二NMOS栅极，其中，第一控制PMOS源极连接至第一电源电压源；第一控制PMOS漏极连接至第一控制第一NMOS漏极和第一控制第二NMOS漏极，并且被配置为提供第一控制信号；第一控制第一NMOS源极连接至第二电源电压源；第一控制第二NMOS源极连接至第三电源电压源；以及第三电源电压源能够提供小于第一工作电压的电压；第二控制电路包括：第二控制NMOS晶体管，具有第二控制NMOS漏极、第二控制NMOS源极、以及第二控制NMOS栅极；第二控制第一PMOS晶体管，具有第二控制第一PMOS漏极、第二控制第一PMOS源极、以及第二控制第一PMOS栅极；以及第二控制第二PMOS晶体管，具有第二控制第二PMOS漏极、第二控制第二PMOS源极、以及第二控制第二PMOS栅极，其中，第二控制第一PMOS源极连接至第一电源电压源；第二控制第一PMOS漏极连接至第二控制NMOS漏极和第二控制第二PMOS源极，并且被配置为提供第二控制信号；第二控制第二PMOS源极连接至第四电源电压源；第二控制NMOS源极连接至第二电源电压源；以及第四电源电压源能够提供高于第二工作电压的电压。

其中，第一控制PMOS栅极、第一控制第一NMOS栅极、第一控制第二NMOS栅极、第二控制NMOS栅极、第二控制第一PMOS栅极、以及第二控制第二PMOS栅极中的每一个连接至不同的相应控制信号。

其中，第三电源电压源和第四电源电压源被设置在动态随机存取存储器中。

其中，电路被配置为满足以下条件中的至少一个：当第一控制信号的第一电压电平小于第一工作电压时，基于通过至少一个第一晶体管的第一泄漏电流选择至少一个第一晶体管中的第一数量的第一晶体管；以及当第二控制信号的第二电压电平大于第二工作电压时，基于通过至少一个第二晶体管的第二泄漏电流选择至少一个第二晶体管中的第二数量的第二晶体管。

其中，电路被配置为满足以下条件中的至少一个：当第一控制信号的第一电压电平小于第一工作电压时，在至少一个第一栅极和至少一个第一源极之间的第一压降被配置为与在至少一个第一栅极和至少一个第一源极之间的第一预定压降相关；以及当第二控制信号的第二电压电平大于第二工作电压时，在至少一个第二栅极和至少一个第二源极之间的第二压降被配置为与在至少一个第二栅极和至少一个第二源极之间的第二预定压降相关。

该电路进一步包括：连接至读放大器的一对数据线。

该电路进一步包括：第一多个存储单元，连接至一对数据线中的第一数据线；以及第二多个存储单元，连接至一对数据线中的第二数据线。