[发明专利]低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料的制备方法无效
申请号: | 201210060682.6 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102557605A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 胡斐;王其艮;戴春雷 | 申请(专利权)人: | 深圳顺络电子股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/26 | 分类号: | C04B35/26;C04B35/622 |
代理公司: | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人: | 张皋翔 |
地址: | 518110 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低温 烧结 nizncu 磁铁 材料 制备 方法 | ||
1.一种低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
A.粉碎原材料Fe2O3、NiO、ZnO、CuO以及Bi2O3至平均粒径均为1.0±0.1μm;
B.将粉碎后的Fe2O3、NiO、ZnO以及CuO混合得到混合物a,在30-60转/分的转速下,进行初次球磨18-30小时,其中混合物a中各组分的摩尔百分比如下:
C.将初次球磨后的混合物a烘干后,进行50-80目初次过筛;
D.将过筛后的混合物a在800-900℃下预烧2-4小时,得到正尖晶石结构的铁氧体混合粉体,并将其粉碎至平均粒径为1.0±0.1μm;
E.在粉碎后的正尖晶石结构的铁氧体混合粉体中添加A步骤中粉碎后的CuO和Bi2O3得到混合物b,在30-60转/分的转速下,进行二次球磨18-30小时,其中加入的CuO和Bi2O3分别占混合物b的质量百分比如下:
CuO 0.5-3.5%
Bi2O3 0.5-4.5%;
F.将二次球磨后的混合物b烘干后,进行50-80目二次过筛,即得到所述低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料。
2.根据权利要求1所述的低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于,所述初次球磨和二次球磨的球磨转速均为45转/分,球磨时间均为24小时。
3.根据权利要求2所述的低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于,所述混合物a中各组分的摩尔百分比如下:
4.根据权利要求3所述的低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于,步骤E中加入的CuO和Bi2O3分别占混合物b的质量百分比如下:
CuO 1.0%
Bi2O3 1.5%。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于,所述步骤C的混合物a和步骤F中的混合物b的烘干温度均为150-200℃,烘干时间均为24-48小时。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于,所述初次过筛和二次过筛的目数均为80目。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于,所述步骤D中的预烧温度为850℃,保温时间为3小时。
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