[发明专利]低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210060682.6 申请日: 2012-03-09
公开(公告)号: CN102557605A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 胡斐;王其艮;戴春雷 申请(专利权)人: 深圳顺络电子股份有限公司
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26;C04B35/622
代理公司: 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 代理人: 张皋翔
地址: 518110 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 低温 烧结 nizncu 磁铁 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

A.粉碎原材料Fe2O3、NiO、ZnO、CuO以及Bi2O3至平均粒径均为1.0±0.1μm;

B.将粉碎后的Fe2O3、NiO、ZnO以及CuO混合得到混合物a,在30-60转/分的转速下,进行初次球磨18-30小时,其中混合物a中各组分的摩尔百分比如下:

C.将初次球磨后的混合物a烘干后,进行50-80目初次过筛;

D.将过筛后的混合物a在800-900℃下预烧2-4小时,得到正尖晶石结构的铁氧体混合粉体,并将其粉碎至平均粒径为1.0±0.1μm;

E.在粉碎后的正尖晶石结构的铁氧体混合粉体中添加A步骤中粉碎后的CuO和Bi2O3得到混合物b,在30-60转/分的转速下,进行二次球磨18-30小时,其中加入的CuO和Bi2O3分别占混合物b的质量百分比如下:

CuO    0.5-3.5%

Bi2O3  0.5-4.5%;

F.将二次球磨后的混合物b烘干后,进行50-80目二次过筛,即得到所述低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料。

2.根据权利要求1所述的低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于,所述初次球磨和二次球磨的球磨转速均为45转/分,球磨时间均为24小时。

3.根据权利要求2所述的低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于,所述混合物a中各组分的摩尔百分比如下:

4.根据权利要求3所述的低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于,步骤E中加入的CuO和Bi2O3分别占混合物b的质量百分比如下:

CuO    1.0%

Bi2O3  1.5%。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于,所述步骤C的混合物a和步骤F中的混合物b的烘干温度均为150-200℃,烘干时间均为24-48小时。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于,所述初次过筛和二次过筛的目数均为80目。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的低温烧结NiZnCu软磁铁氧体材料的制备方法,其特征在于,所述步骤D中的预烧温度为850℃,保温时间为3小时。

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