[发明专利]激光器阵列、激光器装置及光学传输装置和信息处理装置

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器阵列，包括：

基板，其上具有元件形成区域；

多个柱状结构，其形成在所述基板上的所述元件形成区域中；以及

至少一根金属配线，其形成为与所述多个柱状结构相邻，

其中，所述多个柱状结构中的每一个包括第一导电类型的下部半导体反射器、第二导电类型的上部半导体反射器、以及形成在所述下部半导体反射器和所述上部半导体反射器之间的活性区域，并且所述柱状结构沿着与所述基板垂直的方向发射光，并且

所述至少一根金属配线具有变形施加部分，所述变形施加部分相对于所述多个柱状结构沿着同一方向延伸。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，

所述多个柱状结构线性地排列，并且所述变形施加部分与所述多个柱状结构的排列方向平行地延伸。

3.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，

所述至少一根金属配线的构成材料与所述多个柱状结构的与所述上部半导体反射器电连接的电极配线的构成材料相同，并且所述至少一根金属配线和所述电极配线在同一工序中形成。

4.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，

所述至少一根金属配线还用作所述多个柱状结构的电极配线。

5.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器阵列，还包括：

与所述多个柱状结构对应的多个电极片，

其中，所述至少一根金属配线包括将所述多个柱状结构和所述多个电极片彼此连接的多根金属配线，所述多根金属配线中的每一根具有所述变形施加部分。

6.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，

所述多个电极片设置在所述垂直腔面发射激光器阵列的第一端和与所述第一端相反的第二端，

所述多个柱状结构包括位于所述多个柱状结构的中部的第一柱状结构和第二柱状结构，所述第一柱状结构设置为靠近所述第一端，而所述第二柱状结构设置为靠近所述第二端，并且

所述多根金属配线包括与所述第一柱状结构连接并朝向所述第二端延伸的第一金属配线以及与所述第二柱状结构连接并朝向所述第一端延伸的第二金属配线，所述第一金属配线和所述第二金属配线各自具有所述变形施加部分。

7.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，

所述多个电极片设置在所述垂直腔面发射激光器阵列的第一端和与所述第一端相反的第二端，

所述多个柱状结构包括位于所述多个柱状结构的中部的第一柱状结构和第二柱状结构，所述第一柱状结构设置为靠近所述第一端，而所述第二柱状结构设置为靠近所述第二端，

所述多根金属配线包括与所述第一柱状结构连接并朝向所述第一端延伸的第一金属配线以及与所述第二柱状结构连接并朝向所述第二端延伸的第二金属配线，并且

所述变形施加部分包括设置在所述第一金属配线中的多个变形施加部分以及设置在所述第二金属配线中的多个变形施加部分，所述第一金属配线中的所述多个变形施加部分至少与所述第一柱状结构和与所述第一柱状结构相邻的柱状结构平行地延伸，而所述第二金属配线中的所述多个变形施加部分至少与所述第二柱状结构和与所述第二柱状结构相邻的柱状结构平行地延伸。

8.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，

所述变形施加部分沿着所述基板的平面方向(110)或(1-10)延伸。

9.根据权利要求8所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，

所述至少一根金属配线的所述变形施加部分沿着所述基板的所述平面方向(110)或(1-10)延伸，并且所述至少一根金属配线包括延伸部分，所述延伸部分从所述多个柱状结构的电极相对于所述基板的所述平面方向以约45°角延伸。

10.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，

所述多个柱状结构中的每一个具有底部、侧部和顶部，所述底部、侧部和顶部被绝缘膜覆盖，并且所述变形施加部分经由所述绝缘膜形成在所述底部上。

11.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器阵列，其中，

所述多个柱状结构中的每一个具有电流限制层，所述电流限制层包括通过选择性地使所述多个柱状结构的侧表面氧化而形成的氧化区域以及被所述氧化区域包围的导电区域。