[发明专利]化学气相沉积机台

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种化学气相沉积机台。

背景技术

在半导体的工艺过程中，经常需要在晶片上沉积薄膜，而沉积薄膜有很多种方式，其中较为常见的一种方式是化学气相沉积(CVD，chemical vapor deposition)。化学气相沉积是将反应气体输送到沉积腔室内，并使其与置于沉积腔室内的晶片在一定条件下发生化学反应，以在晶片表面沉积一层薄膜。

如图1所示，化学气相沉积机台包括标准机械界面10(SMIF，standard mechanical interface)、前端部分11(Front End)、机械手臂12、缓存处13(load lock)、缓冲区14(Buffer)和沉积腔体15，其中所述标准机械界面10是晶片进入机台的开始位置，所述前端部分11一端连接标准机械界面10，另一端连接缓存处13，前端部分11的内部是微尘环境而外部灰尘比较多，两者颗粒物的数量相差100倍，而产品不能直接与外部接触，所述前端部分11设有一风机过滤机组16(FFU，fan filter units)，所述风机过滤机组16包括风扇17，风机过滤机组16的风扇17用于前端部分11的内部环境过滤，保持内部环境为微尘环境(mini-environment)，所述缓存处13用于存放等待制程的晶片和制程完毕后待冷却的晶片，所述缓冲区14连接缓存处13，所述沉积腔体15与缓冲区13相连接，所述机械手臂12用于传送标准机械界面10、缓存处13和沉积腔体15之间的晶片。

现有化学气相沉积机台没有检测风扇是否正常工作的装置，当风扇17不工作后，前端部分11内部环境不处于正压，外部环境的灰尘就会进入前端部分11，污染晶片，影响产品性能，产生低效产品，所以在化学气相沉积过程中检查风扇运转是否正常，保证化学气相沉积机台的前端部分环境处于微尘环境十分必要。

发明内容

本发明的目的是提供一种化学气相沉积机台，以检测风扇的工作状态，减少因风扇不工作后晶片污染而产生的低效产品。

本发明的技术解决方案是一种化学气相沉积机台，包括标准机械界面、前端部分、机械手臂、缓存处、缓冲区和沉积腔体，其中所述标准机械界面是晶片进入机台的开始位置，所述前端部分一端连接标准机械界面另一端连接缓存处，所述前端部分设有风机过滤机组，所述风机过滤机组包括风扇，所述风扇过滤前端部分的空气，所述缓冲区连接所述缓存处，所述沉积腔体与缓冲区相连接，所述机械手臂用于传输标准机械界面、缓存处和沉积腔体之间的晶片，所述风机过滤机组还包括一个用于检测风扇工作状态的检测装置。

作为优选：所述检测装置包括压力传感器，所述压力传感器用于检测前端部分内的正压力。

作为优选：所述压力传感器连接一蜂鸣器。

作为优选：所述压力传感器为正压力传感器。

与现有技术相比，本发明在化学气相沉积机台的前端部分中的风机过滤机组上增加一个用于检测风机过滤机组的风扇的工作状态的压力传感器，避免因风扇不工作后造成的晶片污染，从而确保产品性能，减少低效产品。

附图说明

图1是现有技术化学气相沉积机台的结构示意图。

图2是本发明化学气相沉积机台的结构示意图。

具体实施方式

本发明下面将结合附图作进一步详述：

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

图2示出了本发明化学气相沉积机台的结构示意图。

请参阅图2所示，在本实施例中，