[发明专利]改善应力的浅槽隔离制造方法以及半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种改善应力的浅槽隔离制造方法，其特征在于包括：

第一生长步骤，用于在硅片上依次生长垫衬氧化层以及氮化硅硬掩膜层；

第二生长步骤，用于在所述氮化硅硬掩膜层上形成光刻胶；

有源区光刻步骤，用于形成光刻胶的图案，所述图案与所要形成的浅沟槽相对应；

氮化硅硬掩膜层蚀刻步骤，用于对所述氮化硅硬掩膜层进行刻蚀，所述刻蚀停在垫衬氧化层上；

光刻胶去除步骤，用于去除所述光刻胶；

原位水汽生成氧化步骤，用于在去除了所述光刻胶的结构上形成氧化层；以及

浅沟槽蚀刻步骤，用于利用所述氧化层和所述氮化硅硬掩膜层完成浅沟槽的蚀刻，直到实现所期望的浅沟槽深度。

2.根据权利要求1所述的改善应力的浅槽隔离制造方法，其特在在于，在所述原位水汽生成氧化步骤中，在氮化硅硬掩膜层表面、氮化硅硬掩膜层侧壁、垫衬氧化层侧壁以及暴露的硅片表面上均形成了氧化层。

3.根据权利要求1或2所述的改善应力的浅槽隔离制造方法，其特在在于，在所述浅沟槽蚀刻步骤中，对所述氧化层进行了蚀刻。

4.根据权利要求1或2所述的改善应力的浅槽隔离制造方法，其特在在于，在所述浅沟槽蚀刻步骤中，在浅沟槽的上方残留有氧化层。

5.一种半导体器件制造方法，所述半导体器件中形成有浅槽隔离制结构，其特征在于根据权利要求1至4之一所述的改善应力的浅槽隔离制造方法。