[发明专利]发光二极管封装结构

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：

一基板；

一散热结构，其设置在该基板上，其中该散热结构具有一内部区域及至少一外部区域，且该内部区域的散热能力大于上述至少一外部区域的散热能力；以及

多个发光二极管芯片，其设置在该散热结构上，该散热结构用以降低上述多个发光二极管芯片位于该内部区域和该外部区域的温度差异。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该基板内包括多个尺寸相同且彼此分离的导热通道，且每两个导热通道之间的间距从该基板的中心往圆周的方向渐渐增加。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该基板内包括多个尺寸相同且彼此分离的导热通道，且该基板被该导热通道所占据的体积密度从该基板的圆周往中心的方向渐渐增加。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该基板内包括多个彼此分离的导热通道，且上述多个导热通道的尺寸从该基板的圆周往中心的方向渐渐增加。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构还包括：一电极单元，其设置在该基板上且与该散热结构彼此分离，其中该电极单元包括至少一正极接脚与一对应于上述至少一正极接脚的负极接脚，且每一个发光二极管芯片电性连接于上述至少一正极接脚与上述至少一负极接脚之间。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该内部区域为一中间区域，该外部区域为一围绕该中间区域的围绕区域。

7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构还包括一反射层，其设置在该中间区域或上述至少一围绕区域上。

8.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该中间区域的导热系数大于上述至少一围绕区域的导热系数。

9.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该中间区域的厚度大于上述至少一围绕区域的厚度。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于，每一个位于该中间区域上方的发光二极管芯片的厚度小于每一个位于上述至少一围绕区域上方的发光二极管芯片的厚度。

11.如权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，位于该中间区域上的发光二极管芯片的厚度加上该散热结构的该中间区域的厚度等于位于该围绕区域上的发光二极管芯片的厚度加上该散热结构的该围绕区域的厚度。

12.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构还包括一荧光层，该荧光层覆盖上述多个发光二极管芯片。

13.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：

一基板，其包括一散热结构，其中该散热结构具有一中间区域及至少一围绕该中间区域的围绕区域，且该中间区域的散热能力大于上述至少一围绕区域的散热能力；以及

多个发光二极管芯片，其设置在该基板上，该散热结构用以降低上述多个发光二极管芯片位于该中间区域和该围绕区域的温度差异。

14.如权利要求13所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该散热结构包括多个设置在该基板内的导热通道，且上述多个导热通道被区分成位于该中间区域的导热通道与位于上述至少一围绕区域的导热通道。

15.如权利要求14所述的发光二极管封装结构，其特征在于上述多个导热通道彼此分离且尺寸皆相同，且每两个导热通道之间的间距从该基板的中心往圆周的方向渐渐增加。

16.如权利要求14所述的发光二极管封装结构，其特征在于上述多个导热通道彼此分离且尺寸皆相同，且该基板被该导热通道所占据的体积密度从该基板的圆周往中心的方向渐渐增加。

17.如权利要求14所述的发光二极管封装结构，其特征在于上述多个导热通道的尺寸从该基板的圆周往中心的方向渐渐增加。