[发明专利]发光二极管封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装结构，尤指一种可降低位于中央区域与外围区域上的发光二极管芯片之间的表面温度差异的发光二极管封装结构。

背景技术

一般来说，在多芯片封装结构中，位于承载基板的中央区上的发光芯片会比位于承载基板的外围区上的发光芯片所产生的温度还高，而此差异性的温差会造成位于中央区上的发光芯片的顺向偏压(forward bias，简称Vf)低于位于外围区上的发光芯片的顺向偏压，因此较多的电流将会流向中央区，造成抢电流现象，而使得位于中央区的发光芯片的信赖性下降。再者，位于中央区上的发光芯片所产生的较高温度也会造成中央区上的发光芯片的发光效率降低，而使得中央区上的发光芯片会比位于外围区上的发光芯片所产生的亮度还低。

因此，如何通过提升中央区的散热能力，以降低中央区与外围区之间的温差，已成为该项事业人士所欲解决的重要课题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光二极管封装结构，其可用于有效降低位于发光二极管封装结构的中央区域上的多个发光二极管芯片与位于发光二极管封装结构的外围区域上的多个发光二极管芯片之间的温差。

本发明其中一实施例所提供的一种发光二极管封装结构，其包括：一基板、一散热结构及多个发光二极管芯片。该散热结构设置在该基板上，其中该散热结构具有一内部区域及至少一外部区域，且该内部区域的散热能力大于上述至少一外部区域的散热能力。上述多个发光二极管芯片设置在该散热结构上，该散热结构用以降低上述多个发光二极管芯片位于该内部区域和该外部区域的温度差异。

本发明另外一实施例所提供的一种发光二极管封装结构，其包括：一基板及多个发光二极管芯片。该基板包括一散热结构，其中该散热结构具有一中间区域及至少一围绕该中间区域的围绕区域，且该中间区域的散热能力大于上述至少一围绕区域的散热能力。上述多个发光二极管芯片设置在该基板上，例如均匀设置在该基板上，该散热结构用以降低上述多个发光二极管芯片位于该中间区域和该围绕区域的温度差异。

综上所述，本发明实施例所提供的发光二极管封装结构，其内部区域的散热能力大于上述至少一外部区域的散热能力，以使得本发明的发光二极管封装结构可用来有效降低位于发光二极管封装结构的中央区域上的多个发光二极管芯片与位于发光二极管封装结构的外围区域上的多个发光二极管芯片之间的温差。因此，上述承载于发光二极管封装结构上的多个发光二极管芯片的信赖性、发光效率、及发光亮度等皆可被有效提升。具体的，可通过“中间区域的导热系数大于围绕区域的导热系数”、“中间区域的厚度大于围绕区域的厚度”、及/或“设置在基板内的渐进式导热结构”的设计，使得内部区域的散热能力大于上述至少一外部区域的散热能力，从而有效降低位于发光二极管封装结构的中央区域上的多个发光二极管芯片与位于发光二极管封装结构的外围区域上的多个发光二极管芯片之间的温差。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1A为本发明发光二极管封装结构的第一实施例的侧视剖面示意图。

图1B为本发明发光二极管封装结构的第一实施例作为LED封装承载体的上视示意图。

图1C为本发明发光二极管封装结构的第一实施例作为LED封装承载体的侧视剖面示意图。

图1D为本发明发光二极管封装结构的第一实施例使用荧光层来覆盖多个发光二极管芯片的侧视剖面示意图。

图2为本发明发光二极管封装结构的第二实施例的侧视剖面示意图。

图3为本发明发光二极管封装结构的第三实施例的侧视剖面示意图。

图4A为本发明发光二极管封装结构的第四实施例的侧视剖面示意图。

图4B为本发明第四实施例所使用的另一种导热通道的侧视剖面示意图。

图4C为本发明第四实施例所使用的再一种导热通道的侧视剖面示意图。

图5为本发明发光二极管封装结构的第五实施例的侧视剖面示意图。

图6为本发明发光二极管封装结构的第六实施例的侧视剖面示意图。

其中，附图标记说明如下：

基板            1        金属基板    10

介电层          100

散热结构        11

中间区域        11A

围绕区域        11B