[发明专利]一种静电保护器件

权利要求书

1.一种静电保护器件，包括：2N个并列形成于一P阱上NMOS结构，所述并列NMOS结构的最外侧为源区，所述最外侧源区的外侧形成有P型有源区，相邻的NMOS结构之间共源区/共漏区，N≥1；

每个NMOS结构包括：一栅极和两隔离侧墙，形成于所述P阱上；

一源区，位于所述栅极一侧NLDD注入区中，所述NLDD注入区位于所述P阱中；

一漏区，位于所述栅极另一侧所述NLDD注入区中，所述NLDD注入区覆盖部分所述漏区；

本器件栅极、源区和P型有源区均接地，漏区均连接到输入输出焊垫端；

其特征是：共漏区上方形成有NLDD注入阻挡区，以阻挡在此区域下方形成的NLDD注入区。

2.如权利要求1所述的静电保护器件，其特征是：所述NLDD注入阻挡区位于漏区接触孔下方，距离沟道大于1um。