[发明专利]半导体元件及其制造方法及半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一半导体基板，具有一第一表面及一第二表面；

一布线层，位于该半导体基板的第一表面；

至少一导通柱，贯穿该半导体基板，且电性连接至该布线层；

一钝化层，覆盖该布线层且显露部分该布线层；

至少一金属柱，邻接该半导体基板的第一表面，且电性连接至该显露的部分该布线层；

一第一聚合物层，覆盖该钝化层，且该至少一金属柱凸出于该第一聚合物层之外；及

一第二聚合物层，邻接该半导体基板的第二表面。

2.如权利要求1的半导体元件，其中该至少一导通柱凸出于该第二聚合物层之外。

3.如权利要求2的半导体元件，更包括至少一保护盖，覆盖该导通柱的凸出部分。

4.如权利要求3的半导体元件，其中该保护盖包括一第二晶种层及一第一球下金属层，该第一球下金属层包括一铜层、一镍层、一钯层及一金层，该铜层位于该第二晶种层上，该镍层位于该铜层上，该钯层位于该镍层上，该金层位于该钯层上。

5.如权利要求1的半导体元件，其中该布线层包括至少一焊垫，该钝化层显露该至少一焊垫，该至少一金属柱位于该至少一焊垫上。

6.如权利要求1的半导体元件，更包括一第一重布层，位于该钝化层上，且电性连接至该显露的部分该布线层，该至少一金属柱位于该第一重布层上，且该第一聚合物层覆盖该钝化层及该第一重布层。

7.如权利要求1的半导体元件，更包括至少一焊料，位于该至少一金属柱上及至少一阻隔层，位于该至少一焊料及该至少一金属柱之间。

8.如权利要求1的半导体元件，更包括一第二重布层、数个阻隔层、数个焊料及数个第二球下金属层，该至少一导通柱彼此之间通过该第二重布层电性连接，所述阻隔层及所述焊料位于该第二重布层上，且所述阻隔层位于第二重布层及所述焊料之间，该第一聚合物层具有数个开口，所述第二球下金属层位于所述开口中。

9.一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：

(a)提供一晶圆，该晶圆包括一半导体基板、一布线层、至少一导通柱及一钝化层，该半导体基板具有一第一表面及一第二表面，该布线层位于该半导体基板的第一表面，该至少一导通柱位于该半导体基板内，且电性连接至该布线层，该钝化层覆盖该布线层且显露部分该布线层；

(b)形成至少一金属柱，其中该至少一金属柱邻接该半导体基板的第一表面，且电性连接至该显露的部分该布线层；

(c)形成一第一聚合物层以覆盖该钝化层，其中该至少一金属柱凸出于该第一聚合物层之外；及

(d)形成一第二聚合物层于该半导体基板的第二表面。

10.如权利要求9的制造方法，其中该步骤(b)包括：

(b1)形成一第一晶种层于该钝化层上；

(b2)形成一光阻层于该第一晶种层上，其中该光阻层具有至少一光阻开口，以显露部分该第一晶种层；

(b3)形成该至少一金属柱于该至少一光阻开口内；

(b4)移除该光阻层；及

(b5)移除未被该至少一金属柱盖住的部分第一晶种层。

11.如权利要求10的制造方法，其中该步骤(b1)之前更包括一形成一第一重布层于该钝化层上的步骤，其中该第一重布层电性连接至该显露的部分该布线层；该步骤(b1)中，该第一晶种层形成于该钝化层及该第一重布层上；该步骤(b2)中，该至少一光阻开口的位置对应该第一重布层；且该步骤(c)中，该第一聚合物层覆盖该钝化层及该第一重布层。

12.如权利要求9的制造方法，其中该步骤(c)之后更包括一从该半导体基板的第二表面薄化该半导体基板，以显露出该至少一导通柱，且该步骤(d)中，该至少一导通柱凸出于该第二聚合物层。

13.如权利要求12的制造方法，其中该步骤(d)之后更包括一形成至少一保护盖以覆盖该导通柱的凸出部分的步骤。