[发明专利]半导体存储卡有效

专利信息
申请号: 201210067074.8 申请日: 2012-03-14
公开(公告)号: CN102693967A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 土井一英;奥村尚久;西山拓;渡边胜好;生田武史 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/495;H01L23/31
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 刘薇;陈海红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储
【权利要求书】:

1.一种半导体存储卡,具备:

引线框,其具备:多个外部连接端子、具有至少一部分与上述外部连接端子连接的多个引线的引线部、在上述引线部设置的芯片零件装载部、以及半导体芯片装载部;

芯片零件,其装载在上述芯片零件装载部上,并与上述引线部电气连接;

存储器芯片,其配置在上述半导体芯片装载部上,具有芯片主体、在上述芯片主体形成的第1电极焊盘、以使上述第1电极焊盘露出并且覆盖上述芯片主体的表面的方式形成的绝缘树脂膜、以及在上述绝缘树脂膜上形成的再布线层;

控制器芯片,其配置在上述半导体芯片装载部上或者上述存储器芯片上,具有第2电极焊盘;以及

密封树脂层,其使上述外部连接端子露出,并且密封上述芯片零件、上述存储器芯片、上述控制器芯片以及上述引线框;

其中,上述引线框上的上述存储器芯片和上述控制器芯片的电气电路具有上述引线、上述再布线层、与从上述第1电极焊盘、上述第2电极焊盘、上述引线和上述再布线层中选择的至少一个连接的金属线。

2.根据权利要求1所述的存储卡,其中,

上述再布线层具有多个再布线;

上述多个再布线的至少一部分具有:与上述第1电极焊盘电气连接的第1端部、经由上述金属线与上述第2电极焊盘或上述引线电气连接的第2端部。

3.根据权利要求2所述的半导体存储卡,其中,

上述再布线的第1端部直接或者经由上述金属线与上述第1电极焊盘电气连接。

4.根据权利要求1所述的半导体存储卡,其中,

上述再布线层具有多个再布线;

相同电位的上述再布线经由以跨越不同电位的其它再布线或者电极焊盘的方式配置的上述金属线而电气连接。

5.根据权利要求1所述的半导体存储卡,其中,

上述再布线层至少具有Al层、Al合金层、Au层或者Pd层作为最表面层。

6.根据权利要求2所述的半导体存储卡,其中,

上述控制器芯片在上述半导体芯片装载部上被配置为位于上述外部连接端子和上述存储器芯片之间。

7.根据权利要求6所述的半导体存储卡,其中,

上述第2电极焊盘的至少一部分经由上述金属线与上述引线电气连接。

8.根据权利要求1所述的半导体存储卡,其中,

上述存储器芯片具备:在上述半导体芯片装载部上配置的第1存储器芯片、在上述第1存储器芯片上层叠的第2存储器芯片;

上述再布线层只在上述第2存储器芯片上设置。

9.根据权利要求8所述的半导体存储卡,其中,

上述第2存储器芯片以上述第1存储器芯片的上述第1电极焊盘露出的方式阶梯状地层叠,

上述第1存储器芯片的上述第1电极焊盘经由上述金属线与上述第2存储器芯片的上述第1电极焊盘或者上述再布线层电气连接,上述第2存储器芯片的上述第1电极焊盘与上述再布线层电气连接。

10.根据权利要求8所述的半导体存储卡,其中,

上述第2存储器芯片具备:具有多个存储器芯片的芯片层叠体。

11.根据权利要求1所述的半导体存储卡,其中,

上述控制器芯片被配置在上述存储器芯片上,上述第2电极焊盘的一部分经由上述再布线层和上述金属线与上述引线电气连接。

12.根据权利要求1所述的半导体存储卡,其中,

上述引线框具备:具有吊线的固定部;

上述半导体芯片装载部与上述固定部电气独立,并且通过在上述固定部上粘着的第1固定带保持。

13.根据权利要求12所述的半导体存储卡,其中,

上述引线部通过在上述固定部上粘着的第2固定带保持。

14.根据权利要求13所述的半导体存储卡,其中,

上述外部连接端子通过第3固定带保持。

15.根据权利要求1所述的半导体存储卡,其中,

上述密封树脂层具有:上述外部连接端子露出的第1面、与上述第1面相反一侧的第2面;

上述引线框具有第1加工部,上述第1加工部通过对上述引线框进行弯曲加工以使上述外部连接端子在上述第1面露出并且上述半导体芯片装载部被配置在上述密封树脂层内而形成。

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