[发明专利]半导体存储卡有效

专利信息
申请号: 201210067074.8 申请日: 2012-03-14
公开(公告)号: CN102693967A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 土井一英;奥村尚久;西山拓;渡边胜好;生田武史 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/495;H01L23/31
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 刘薇;陈海红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请基于2011年3月24日提交的日本专利申请No.2011-065473和2011年11月4日提交的日本专利申请No.2011-242191,并要求其优先权,其全部内容在此包含作为参考。

技术领域

在此公开的实施方式一般涉及半导体存储卡。

背景技术

在内置NAND型闪速存储器等的半导体存储卡中,小型化和高容量化已取得进展。为了谋求半导体存储卡的低成本化,正在研究将构成半导体存储卡的存储器芯片和/或控制器芯片等半导体芯片装载在具有外部连接端子的引线框上。在引线框上除了半导体芯片外,还装载有电容器和/或熔丝等芯片零件。在使用了引线框的半导体存储卡中,除去外部连接端子的表面,引线框整体和半导体芯片和/或芯片零件一起被树脂密封。

在使用引线框作为半导体存储卡的电路基材的情况下,有可能根据引线框的结构发生异常。例如,引线框与布线基板相比,由于电路的形成受到限制,因此,有可能只以引线框和焊线形成存储器芯片和/或控制器芯片的电路变得困难。进一步地,对于按各种规格规定半导体存储卡的厚度,半导体芯片和/或芯片零件的高度不一样,一般是芯片零件的高度比半导体芯片的高度高。在这种条件下,如果将引线框和半导体芯片和/或芯片零件一起进行树脂密封,则有可能由于芯片零件的密封树脂层而导致覆盖性降低,或者在树脂密封时发生半导体存储卡的翘起和/或引线框的位置偏移。

发明内容

根据一个实施方式,提供一种半导体存储卡,其具备引线框、存储器芯片、控制器芯片、以及密封芯片零件、存储器芯片、控制器芯片和引线框的密封树脂层。引线框具备多个外部连接端子、具有至少一部分与外部连接端子连接的多个引线的引线部、在引线部设置的芯片零件装载部、和半导体芯片装载部。芯片零件被装载在引线框的芯片零件装载部上,并且与引线电气连接。存储器芯片具有芯片主体、在芯片主体形成的第1电极焊盘、以使第1电极焊盘露出并且覆盖芯片主体的表面的方式形成的绝缘树脂膜、和在绝缘树脂膜上形成的再布线层。控制器芯片具有第2电极焊盘。引线框上的存储器芯片和控制器芯片的电气电路具有引线、再布线层、以及与从第1电极焊盘、第2电极焊盘、引线和再布线层中选择的至少一个连接的金属线。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体存储卡的顶面透过图。

图2是表示图1所示的半导体存储卡的底面图。

图3是表示图1所示的半导体存储卡的剖面图。

图4是表示第1比较例的半导体存储卡中的引线框的剖面构成的图。

图5是表示第2比较例的半导体存储卡中的引线框的剖面构成的图。

图6是表示第1实施方式的半导体存储卡中的引线框的剖面构成的图。

图7是表示第2实施方式的半导体存储卡的顶面透过图。

图8是表示第3实施方式的半导体存储卡的顶面透过图。

图9是表示图8所示的半导体存储卡中的存储器芯片的再布线层的第1构成例子的剖面图。

图10是表示图8所示的半导体存储卡中的存储器芯片的再布线层的第2构成例子的剖面图。

图11是表示图10所示的再布线层的变形例的剖面图。

图12是表示图8所示的半导体存储卡中的存储器芯片的再布线层的第3构成例子的剖面图。

图13是表示图8所示的半导体存储卡的变形例的剖面图。

图14是表示第4实施方式的半导体存储卡的顶面透过图。

图15是表示图14所示的半导体存储卡的剖面图。

图16是表示第5实施方式的半导体存储卡的顶面透过图。

具体实施方式

第1实施方式

图1至图3是表示第1实施方式的半导体存储卡的图。图1是第1实施方式的半导体存储卡的顶面图,是透过半导体存储卡的构成而示出的图(顶面透过图),图2是第1实施方式的半导体存储卡的底面图,图3是在长方向(插入卡槽的方向)上切断第1实施方式的半导体存储卡的剖面图。这些图所示的半导体存储卡1作为各种规格的存储卡使用。

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