[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210067195.2 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102931236A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 尾本诚一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘瑞东;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
在半导体基板上形成的多晶硅膜；
在上述多晶硅膜上形成的金属的硅化物膜；
在上述硅化物膜上形成的上述金属的氧化膜；和
在上述氧化膜上形成的包含钨或钼的膜。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述金属的氧化膜的生成能量比硅的氧化膜的生成能量及钨或钼的氧化膜的生成能量小。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述金属包含钛、锆、铪、钒、铌、钽、钪、钇、铬中的至少1种元素。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述氧化膜为非晶质。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述氧化膜中的氧浓度沿上述半导体基板的基板面垂直方向变化。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在上述硅化物膜和上述氧化膜间形成上述金属的膜。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在上述半导体基板上，依次形成有隧道绝缘膜、浮置栅极膜、中间绝缘膜和多晶硅电极膜，
在上述多晶硅电极膜上，依次形成有上述硅化物膜、上述氧化膜和上述包含钨或钼的膜。
8.一种半导体装置，其特征在于，
在半导体基板上，依次形成有隧道绝缘膜、多晶硅浮置栅极膜和中间绝缘膜，在上述中间绝缘膜的一部分存在贯通到上述多晶硅浮置栅极膜为止的开口部，
具有在上述开口部中的上述多晶硅浮置栅极膜上，依次形成有金属的硅化物膜、上述金属的氧化膜和包含钨或钼的膜的构造。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
上述金属的氧化膜的生成能量比硅的氧化膜的生成能量及钨或钼的氧化膜的生成能量小。
10.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
上述金属包含钛、锆、铪、钒、铌、钽、钪、钇、铬中的至少1种元素。
11.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
上述氧化膜为非晶质。
12.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
在上述硅化物膜和上述氧化膜间形成上述金属的膜。
13.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
上述构造构成非易失性半导体存储装置的选择栅极部。
14.一种半导体装置，其特征在于，
在半导体基板上，依次形成有隧道绝缘膜、多晶硅浮置栅极膜、中间绝缘膜和多晶硅电极膜，在上述多晶硅电极膜及中间绝缘膜的一部分存在贯通到上述多晶硅浮置栅极膜为止的开口部，
具有在上述开口部中的上述多晶硅浮置栅极膜及上述开口部以外的部分中的上述多晶硅电极膜上，依次形成有金属的硅化物膜、上述金属的氧化膜和包含钨或钼的膜的构造。
15.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，
上述金属的氧化膜的生成能量比硅的氧化膜的生成能量及钨或钼的氧化膜的生成能量小。
16.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，
上述金属包含钛、锆、铪、钒、铌、钽、钪、钇、铬中的至少1种元素。
17.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，
上述氧化膜为非晶质。
18.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，
在上述硅化物膜和上述氧化膜间形成上述金属的膜。
19.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，
上述构造构成非易失性半导体存储装置的选择栅极部。
20.如权利要求19所述的半导体装置，其特征在于，
上述非易失性半导体存储装置的存储单元部，具有在上述半导体基板上依次形成有上述隧道绝缘膜、上述多晶硅浮置栅极膜、上述中间绝缘膜、上述多晶硅电极膜、上述硅化物膜、上述氧化膜和上述包含钨或钼的膜的构造。
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