[发明专利]改进的集成电路接地屏蔽结构有效
| 申请号： | 201210067433.X | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103151338A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 林佑霖;颜孝璁;陈和祥;周淳朴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改进 集成电路 接地 屏蔽 结构 | ||
1.一种装置，包括：
第一管芯，包含电子元件；
第二管芯，包含接地屏蔽结构；以及
设置在所述第一管芯和所述第二管芯之间的层，其中，所述层将所述第一管芯和所述第二管芯连接在一起。
2.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述电子元件和所述接地屏蔽结构都包含导电材料；以及
所述电子元件为电感器线圈。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一管芯和所述第二管芯都包括硅衬底或插入式衬底。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述插入式衬底包括：介电材料、高阻抗材料、或玻璃材料。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述层包括底部填充材料。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述层的厚度为至少十微米。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述层包含一个或多个微凸块。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一管芯和所述第二管芯中的至少一个包含：一个或多个伪金属器件。
9.一种器件，包括：
电感器线圈，形成在第一管芯中；
图案化接地屏蔽(PGS)器件，形成在与所述第一管芯分离的第二管芯中；
底部填充材料，位于所述第一管芯和所述第二管芯之间。
10.一种微电子器件，包括：
第一管芯，包含多个第一互连层，其中，电感器线圈结构设置在所述第一互连层的子集中；
第二管芯，包含多个第二互连层，其中，图案化接地屏蔽(PGS)结构设置在所述第二互连层的子集中；以及
底部填充层，设置在所述第一管芯和所述第二管芯之间，所述底部填充层包含一个或多个微凸块。
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