[发明专利]一种发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，其特征在于，包含：

一个具有（111）晶面的硅基底；

一个位于所述硅基底的（111）晶面上的GaN晶体结构，所述GaN晶体结构具有一个非极性平面，和平行于该非极性平面的一个第一表面；

以及，位于所述第一表面上的若干个发光层，所述发光层具有至少一个包含GaN的量子阱。

2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一表面基本垂直于硅基底的所述（111）晶面。

3.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一表面以硅基底的所述（111）晶面的一侧边缘为边界。

4.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一表面基本垂直于在所述GaN晶体结构的（1-100）方向配置的一个m轴。

5.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述GaN晶体结构还包含一个半极性平面，和一个平行于该半极性平面的第二表面。

6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述GaN晶体结构还包含一个极性平面，和一个平行于该极性平面的第三表面。

7.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第二表面位于所述第一表面与第三表面之间。

8.如权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述第一表面和第二表面以142°到162°之间的一个角度相互交叉截取。

9.如权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述第二表面和第三表面以108°到128°之间的一个角度相互交叉截取。

10.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述GaN晶体结构中是有掺杂的，并且，所述GaN晶体结构具有导电性；

所述发光器件进一步包含：

一个位于所述发光层上的上电极层，所述发光层位于所述GaN晶体结构与所述上电极层之间，当施加有穿过所述发光层的电场时，该发光层发光。

11.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件进一步包含有位于所述硅基底的（111）晶面与所述GaN晶体结构之间的反射层。

12.如权利要求11所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件进一步包含有位于所述反射层与所述硅基底的（111）晶面之间的缓冲层。

13.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述硅基底进一步包含：

一个位于该硅基底的（100）晶面的上表面；

一个形成于所述上表面的凹槽，所述凹槽的一部分被限定为硅基底的所述（111）晶面。

14.如权利要求13所述的发光器件，其特征在于，所述凹槽的形状是沟槽形、倒金字塔形，或截短的倒金字塔形。

15.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述量子阱包含若干个InGaN层及GaN层。

16.一种发光器件，其特征在于，包含：

一个硅基底，其进一步包含一个位于所述硅基底的（100）晶面的上表面，所述上表面具有一个凹槽，该凹槽的一部分被限定为硅基底的（111）晶面；

一个GaN晶体结构，位于其中一个所述（111）晶面上，所述GaN晶体结构包含一个非极性平面，和一个平行于该非极性平面的第一表面；

以及，位于所述第一表面上的若干个发光层，所述发光层具有至少一个包含GaN的量子阱。

17.如权利要求16所述的发光器件，其特征在于，所述凹槽的形状是沟槽形、倒金字塔形，或截短的倒金字塔形。

18.如权利要求16所述的发光器件，其特征在于，所述第一表面基本垂直于所述硅基底的（111）晶面。

19.如权利要求16所述的发光器件，其特征在于，所述第一表面以硅基底的所述（111）晶面的一侧边缘为边界。

20.如权利要求16所述的发光器件，其特征在于，所述GaN晶体结构还包含一个半极性平面，和一个平行于该半极性平面的第二表面；所述GaN晶体结构还包含一个极性平面，和一个平行于该极性平面的第三表面；所述第二表面位于所述第一表面与第三表面之间。