[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210068013.3 | 申请日： | 2005-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102682837A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 守屋芳隆;安部宽子;汤川干央;野村亮二 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C11/22;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
元件形成层，包括提供在衬底上的第一晶体管和第二晶体管；
提供在元件形成层上的存储元件；以及
提供在衬底上的传感器部分，
其中存储元件具有包括第一导电层、第一有机化合物层和第二导电层的分层结构，
其中第一导电层电连接到第一晶体管，
其中传感器部分电连接到第二晶体管，
其中传感器部分具有包括第三导电层、第二有机化合物层、和第四导电层的分层结构，并且第一导电层和第三导电层处在相同的层中。
2.一种半导体器件，包括：
元件形成层，包括提供在衬底上的第一晶体管和第二晶体管；
提供在元件形成层上的存储元件；以及
提供在存储元件上的传感器部分，
其中存储元件具有包括第一导电层、第一有机化合物层和第二导电层的分层结构，
其中第一导电层电连接到第一晶体管，
其中传感器部分电连接到第二晶体管，
其中传感器部分具有包括第三导电层、第二有机化合物层、和第四导电层的分层结构，并且第一导电层和第三导电层处在相同的层中。
3.一种半导体器件，包括：
元件形成层，包括提供在衬底上的第一晶体管和第二晶体管；
提供在元件形成层上的存储元件；以及
提供在衬底上的传感器部分，
其中存储元件具有包括第一导电层、第一有机化合物层和第二导电层的分层结构，
其中第一导电层的一端覆盖有绝缘层，
其中第一导电层电连接到第一晶体管，
其中传感器部分电连接到第二晶体管，
其中传感器部分具有包括第三导电层、第二有机化合物层、和第四导电层的分层结构，并且第一导电层和第三导电层处在相同的层中。
4.一种半导体器件，包括：
元件形成层，包括提供在衬底上的第一晶体管和第二晶体管；
提供在元件形成层上的存储元件；以及
提供在存储元件上的传感器部分，
其中存储元件具有包括第一导电层、第一有机化合物层和第二导电层的分层结构，
其中第一导电层的一端覆盖有绝缘层，
其中第一导电层电连接到第一晶体管，
其中传感器部分电连接到第二晶体管，
其中传感器部分具有包括第三导电层、第二有机化合物层、和第四导电层的分层结构，并且第一导电层和第三导电层处在相同的层中。
5.根据权利要求1-4中任何一个的半导体器件，
其中通过在存储元件中写入来改变第一导电层与第二导电层之间的距离。
6.根据权利要求1-4中任何一个的半导体器件，
其中第一晶体管和第二晶体管每一个都是有机晶体管。
7.根据权利要求1-4中任何一个的半导体器件，
其中衬底是玻璃衬底或柔性衬底。
8.根据权利要求1-4中任何一个的半导体器件，
其中存储元件的电阻通过写入而不可逆地改变。
9.根据权利要求1-4中任何一个的半导体器件，
其中第一有机化合物层和第二有机化合物层中的至少一个包含高分子量化合物。
10.根据权利要求9的半导体器件，
其中高分子量化合物是[甲氧基-5-(2-乙基)己氧基]-p-对苯撑乙烯(MEH-PPV)或聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)。
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