[发明专利]半导体器件

说明书

本申请是于2005年12月1日提交的、于2007年6月7日进入中国国家阶段的、PCT申请号为PCT/JP2005/022594、中国国家申请号为200580042067.0、发明名称为“半导体器件”的申请之分案申请。 

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，优选地涉及一种通过对存储电路使用有机化合物的能够存储数据的半导体器件。 

背景技术

近年来，个别识别技术已经引起注意。例如，存在一种用于生产和管理的技术，其中通过将ID(个体识别码)提供给各个对象来阐明信息例如对象的历史。首先，已经进行了可以非接触地发送和接收数据的半导体器件的研制。作为这种半导体器件，特别地，RFID(射频身份识别)标签(也称作ID标签，IC标签和IC芯片，RF(射频)标签，无线标签，电子标签或无线芯片)开始在公司、市场等中使用。 

已经推向实际使用的许多半导体器件每个具有使用半导体衬底例如Si衬底(也称作IC(集成电路)芯片)和天线的电路，并且IC芯片包括存储电路(也称作存储器)和控制电路。特别地，通过装备存储许多数据的存储电路，可以获得提供更高性能的高增值半导体器件。 

作为在半导体器件中提供的存储电路，通常可以使用DRAM(动态随机存取存储器)，SRAM(静态随机存取存储器)，FeRAM(铁电随机存取存储器)，掩模ROM(只读存储器)， EPROM(电可编程只读存储器)，EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)，闪速存储器等。其中，当使用属于易失性存储电路的DRAM或SRAM时，当电源关闭时数据被擦除，使得每当电源导通时数据需要被写入。FeRAM是一种非易失性存储电路，它使用包括铁电层的电容器并且需要大量制造过程。掩模ROM具有简单的结构，但是，数据需要在制造步骤期间写入，从而数据不能另外地写入。EPROM、EEPROM和闪速存储器是使用具有两个栅电极的元件的非易失性存储电路，所以增加制造步骤。 

发明内容

考虑到上面的问题，本发明的目的在于提供一种可以另外地写入数据并且容易制造的易失性半导体器件，及其制造方法。 

为了实现目的，本发明提供下面的措施。 

根据本发明的半导体器件包括元件形成层，它包括提供在衬底上的第一晶体管和第二晶体管；提供在元件形成层上的存储元件；以及提供在存储元件上的传感器部分，其中存储元件具有第一导电层、有机化合物层和第二导电层的分层结构，第一导电层电连接到第一晶体管，并且传感器部分电连接到第二晶体管。 

根据本发明的半导体器件的另一种结构包括元件形成层，它包括提供在衬底上的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管；提供在元件形成层上的存储元件；用作天线的导电层；以及提供在存储元件上的传感器部分，其中存储元件具有第一导电层、有机化合物层和第二导电层的分层结构，第一导电层电连接到第一晶体管，传感器部分电连接到第二晶体管，以及用作天线的导电层电连接到第三晶体管。此外，用作天线的导电层与第一导电层提供在相同层中。 

在根据本发明的半导体器件的另一种结构中，提供在传感器部分上的导电层通过导电颗粒电连接到已电连接到第二晶体管的源极或漏极区的导电层，使得传感器部分电连接到第二晶体管。 

根据本发明的半导体器件的另一种结构包括元件形成层，它包括 提供在衬底上的第一晶体管、第二晶体管和传感器部分；以及提供在元件形成层上的存储元件，其中存储元件具有第一导电层、有机化合物层和第二导电层的分层结构，第一导电层电连接到第一晶体管，并且传感器部分电连接到第二晶体管。 

根据本发明的半导体器件的另一种结构包括元件形成层，它包括提供在衬底上的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和传感器部分；提供在元件形成层上的存储元件；以及用作天线的导电层，其中存储元件具有第一导电层、有机化合物层和第二导电层的分层结构，第一导电层电连接到第一晶体管，传感器部分电连接到第二晶体管，并且用作天线的导电层电连接到第三晶体管。此外，用作天线的导电层与第一导电层提供在相同层中。 

在根据本发明的半导体器件的另一种结构中，传感器部分包括光电二极管或光电晶体管。 

根据本发明的半导体器件的另一种结构包括元件形成层，它包括提供在衬底上的第一晶体管和第二晶体管；以及提供在元件形成层上的存储元件和传感器部分，其中存储元件部分具有第一导电层、第一有机化合物层和第二导电层的分层结构，传感器部分具有第三导电层、第二有机化合物层和第四导电层的分层结构，第一导电层电连接到第一晶体管，并且第三导电层电连接到第二晶体管。