[发明专利]显示面板的阵列基板结构及其制作方法有效
申请号: | 201210068620.X | 申请日: | 2012-03-14 |
公开(公告)号: | CN102623397A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 黄国有;黄德群 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L23/528 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;王颖 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 阵列 板结 及其 制作方法 | ||
1.一种制作显示面板的阵列基板结构的方法,其特征在于,包括:
提供一基板,其中该基板包括一显示区与一走线区;
于该基板上形成一第一图案化导电层,该第一图案化导电层包括:
多条栅极线,位于该显示区;
多个栅极,位于该显示区;以及
多条第一栅极转接线,位于该走线区,其中该等第一栅极转接线与部分的该等栅极线电性连接;
于该第一图案化导电层上形成一第一图案化绝缘层,其中该第一图案化绝缘层具有多个第一接触洞,分别部分暴露出部分的该等栅极线;
于该第一图案化绝缘层上形成一第二图案化导电层,其中该第二图案化导电层包括:
多条数据线,位于该显示区;
多个源极与多个漏极,位于该显示区;以及
多条第二栅极转接线,其中该等第二栅极转接线经由该等第一接触洞而与暴露出的部分的该等栅极线电性连接;
于该第二图案化导电层上形成一图案化半导体层与一第二图案化绝缘层,其中该图案化半导体层包括多个半导体通道层,位于该显示区并分别设置于对应的该栅极之上,以及多个第一保护图案,至少部分位于该走线区并设置于对应的该第二栅极转接线之上,该第二图案化绝缘层包括多个后通道保护层,位于该显示区并设置于对应的该半导体通道层之上,以及多个第二保护图案,至少部分位于该走线区并分别设置于对应该第一保护图案之上;
于该图案化第二导电层上形成一第一图案化保护层与一第二图案化保护层,其中该第一图案化保护层与该第二图案化保护层暴露出各该第二保护图案,且该第一图案化保护层与该第二图案化保护层具有多个第二接触洞,分别暴露出该等漏极;以及
于该第二图案化保护层上形成一第一图案化透明导电层。
2.如权利要求1所述的制作显示面板的阵列基板结构的方法,其特征在于,其中该基板另包括一连接垫区,该第一图案化透明导电层另包括多个连接垫,位于该连接垫区且分别与各该第一栅极转接线以及各该第二栅极转接线电性连接。
3.如权利要求1所述的制作显示面板的阵列基板结构的方法,其特征在于,其中该基板另包括一连接垫区,该第一图案化绝缘层具有多个第三接触洞,分别部分暴露出各该第一栅极转接线,该第二图案化导电层另包括多个转接电极,分别与暴露出的各该第一栅极转接线电性连接,该第一图案化透明导电层另包括多个连接垫,位于该连接垫区,分别与各该转接电极以及各该第二栅极转接线电性连接。
4.如权利要求1所述的制作显示面板的阵列基板结构的方法,其特征在于,另包括:
于该第一图案化透明导电层上形成一第三图案化保护层;以及
于该第三图案化保护层上形成一第二图案化透明导电层。
5.如权利要求4所述的制作显示面板的阵列基板结构的方法,其特征在于,其中该基板另包括一连接垫区,该第一图案化绝缘层具有多个第三接触洞,分别部分暴露出各该第一栅极转接线,该第二图案化导电层另包括多个转接电极,分别与暴露出的各该第一栅极转接线电性连接,该第三图案化保护层具有多个第四接触洞,分别部分暴露出各该转接电极与各该第二栅极转接线,该第二图案化透明导电层另包括多个连接垫,位于该连接垫区,各该连接垫分别经由各该第四接触洞而与各该转接电极以及各该第二栅极转接线电性连接。
6.如权利要求4所述的制作显示面板的阵列基板结构的方法,其特征在于,其中该第一图案化透明导电层包括多个共通电极,设置于该显示区内,该第二图案化透明导电层包括多个像素电极,设置于该显示区内,各该像素电极分别与对应的该漏极电性连接,且各该像素电极具有多个条状开口。
7.如权利要求6所述的制作显示面板的阵列基板结构的方法,其特征在于,其中该显示区内设置有一第一次像素与一第二次像素,该第二图案化透明导电层另包括一透明桥接电极,该第一次像素的该源极与对应的该数据线电性连接,该第一次像素的该像素电极分别与该第一次像素的该漏极电性连接以及透过该透明桥接电极与该第二次像素的该源极电性连接,且该第二次像素的该像素电极与该第二次像素的该漏极电性连接。
8.如权利要求4所述的制作显示面板的阵列基板结构的方法,其特征在于,其中该第一图案化透明导电层包括多个像素电极,设置于该显示区内,各该像素电极分别与对应的该漏极电性连接,该第二图案化透明导电层包括多个共通电极,设置于该显示区内,且各该共通电极具有多个条状开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造