[发明专利]发光器件以及发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一导电类型半导体层；

有源层，布置在所述第一导电类型半导体层上；

隧道结层，包括布置在所述有源层上的第二导电类型氮化物半导体层与第一导电类型氮化物半导体层，其中所述第一导电类型氮化物半导体层与所述第二导电类型氮化物半导体层以PN结的方式联结；

第一电极，布置在所述第一导电类型半导体层上；以及

第二电极，布置在所述第一导电类型氮化物半导体层上，其中所述第二电极的一部分穿过所述第一导电类型氮化物半导体层与所述第二导电类型氮化物半导体层肖特基接触。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二电极包括：

第一接触部，与所述第一导电类型氮化物半导体层的上表面以及所述第一导电类型氮化物半导体层的贯穿部分欧姆接触；以及

第二接触部，与所述第二导电类型氮化物半导体层肖特基接触。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第二导电类型氮化物半导体层的一部分位于所述第二接触部与所述有源层之间。

4.根据权利要求1-3中任一权利要求所述的发光器件，其中

所述隧道结层具有至少一个凹陷，所述第二导电类型氮化物半导体层通过所述至少一个凹陷被暴露；以及

所述第二电极布置在所述至少一个凹陷的上表面和侧表面上。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第二电极的一个部分与通过所述至少一个凹陷被暴露的所述第二导电类型氮化物半导体层肖特基接触。

6.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第二电极的一个部分与通过所述至少一个凹陷被暴露的所述第一导电类型氮化物半导体层欧姆接触。

7.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第二接触部与所述第二电极在垂直方向上交叠。

8.根据权利要求1-7中任一权利要求所述的发光器件，其中所述第一导电类型氮化物半导体层包括多个第一导电类型覆层，所述多个第一导电类型覆层具有不同浓度和/或成分的第一掺杂物。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第二导电类型氮化物半导体层包括多个第二导电类型覆层，所述多个第二导电类型覆层具有不同浓度和/或成分的第二掺杂物。

10.根据权利要求1-9中任一权利要求所述的发光器件，其中所述有源层发出具有250nm到340nm的波长的光。

11.根据权利要求1-10中任一权利要求所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极为包括Al、Al/Ti或Al合金的反射电极。

12.一种发光器件，包括：

第一导电类型半导体层；

有源层，布置在所述第一导电类型半导体层上；

隧道结层，包括布置在所述有源层上的第二导电类型氮化物半导体层与第一导电类型氮化物半导体层，其中所述第一导电类型氮化物半导体层与所述第二导电类型氮化物半导体层以PN结的方式联结；

第一电极，布置在所述第一导电类型半导体层上；

至少一个凹陷，形成在所述隧道结层中，并且通过所述至少一个凹陷暴露所述第二导电类型氮化物半导体层；

透光介电层，填充在所述至少一个凹陷中；以及

第二电极，布置在所述透光介电层与所述第一导电类型氮化物半导体层上。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述透光介电层与所述第二电极在垂直方向上交叠。

14.根据权利要求12或13所述的发光器件，其中所述第一导电类型氮化物半导体层包括多个第一导电类型覆层，所述多个第一导电类型覆层具有不同浓度和/或成分的第一掺杂物。

15.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述第二导电类型氮化物半导体层包括多个第二导电类型覆层，所述多个第二导电类型覆层具有不同浓度和/或成分的第二掺杂物。

16.根据权利要求12到15中任一权利要求所述的发光器件，其中所述有源层发出具有250nm到340nm的波长的光。

17.根据权利要求12到16中任一权利要求所述的发光器件，其中所述第一电极和所述第二电极为包括Al、Al/Ti或Al合金的反射电极。