[发明专利]发光器件以及发光器件封装

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求享有2011年6月2日在韩国递交的韩国专利申请第10-2011-0053181号的优先权，在此通过参考引入该申请的全部内容，如同将其完整地叙述于此。

技术领域

本发明的实施例涉及一种发光器件以及发光器件封装。

背景技术

一般而言，发光二极管(在下文中，称为“LED”)为一种利用电子和空穴之间的复合(其为化合物半导体的特性之一)将电信号转换成红外光、可见光或其它形式的光以发送和接收信号的半导体器件。

一般而言，LED被用于家用电器、远程控制器、电子公告牌、指示器、各种自动化器具、光学通信等。LED可被分类为红外发光二极管(IRED)或可见发光二极管(VLED)。

从LED发出的光的频率(或波长)为半导体材料的带隙的函数。如果使用具有窄带隙的半导体材料，则生成具有低能量和长波长的光子。另一方面，如果使用具有宽带隙的半导体材料，则生成具有短波长的光子。因此，基于待发出的光的种类来选择器件的半导体材料。

发明内容

本发明实施例提供了具有提高的反射系数以及光提取效率的发光器件以及发光器件封装。

在一个实施例中，一种发光器件包括：第一导电类型半导体层；有源层，布置在所述第一导电类型半导体层上；隧道结层(tunneljunction layer)，包括布置在所述有源层上的第二导电类型氮化物半导体层与第一导电类型氮化物半导体层，其中所述第一导电类型氮化物半导体层与所述第二导电类型氮化物半导体层以PN结的方式联结(PN junctioned)；第一电极，布置在所述第一导电类型半导体层上；以及第二电极，布置在所述第一导电类型氮化物半导体层上，其中所述第二电极的一部分穿过所述第一导电类型氮化物半导体层与所述第二导电类型氮化物半导体层肖特基接触。

第二电极可包括：第一接触部，与所述第一导电类型氮化物半导体层的上表面以及所述第一导电类型氮化物半导体层的贯穿部分(through portion)欧姆接触；以及第二接触部，与所述第二导电类型氮化物半导体层肖特基接触。

所述第二导电类型氮化物半导体层的一部分可位于所述第二接触部与所述有源层之间。

所述隧道结层可具有至少一个凹陷，所述第二导电类型氮化物半导体层通过所述至少一个凹陷被暴露，并且所述第二电极可布置在所述至少一个凹陷的上表面和侧表面上。

所述第二电极的一个部分可与通过所述至少一个凹陷被暴露的所述第二导电类型氮化物半导体层肖特基接触。

所述第二电极的一个部分可与通过所述至少一个凹陷被暴露的所述第一导电类型氮化物半导体层欧姆接触。

所述第二接触部与所述第二电极可在垂直方向上交叠(overlap)。所述第一导电类型氮化物半导体层可包括多个第一导电类型覆层，所述多个第一导电类型覆层具有不同浓度和/或成分的第一掺杂物。所述第二导电类型氮化物半导体层可包括多个第二导电类型覆层，所述多个第二导电类型覆层具有不同浓度和/或成分的第二掺杂物。

所述有源层可发出具有250nm到340nm的波长的光。所述第一电极和所述第二电极可为包括Al、Al/Ti或Al合金的反射电极。

在另一个实施例中，一种发光器件包括：第一导电类型半导体层；有源层，布置在所述第一导电类型半导体层上；隧道结层，包括布置在所述有源层上的第二导电类型氮化物半导体层与第一导电类型氮化物半导体层，其中所述第一导电类型氮化物半导体层与所述第二导电类型氮化物半导体层以PN结的方式联结；第一电极，布置在所述第一导电类型半导体层上；至少一个凹陷，形成在所述隧道结层中，并且通过所述至少一个凹陷暴露所述第二导电类型氮化物半导体层；透光介电层，填充在所述至少一个凹陷中；以及第二电极，布置在所述透光介电层与所述第一导电类型氮化物半导体层上。

所述透光介电层可与所述第二电极在垂直方向上交叠。所述第一导电类型氮化物半导体层可包括多个第一导电类型覆层，所述多个第一导电类型覆层具有不同浓度和/或成分的第一掺杂物。所述第二导电类型氮化物半导体层可包括多个第二导电类型覆层，所述多个第二导电类型覆层具有不同浓度和/或成分的第二掺杂物。

在又一个实施例中，一种发光器件封装包括：基台；第一金属层和第二金属层，布置在所述基台上；发光器件，布置在所述基台上；第一缓冲单元，将所述发光器件与所述第一金属层电互连；以及第二缓冲单元，将所述发光器件与所述第二金属层电互连，其中所述发光器件为根据实施例的发光器件之一。

附图说明