[发明专利]用于为垂直磁记录磁极提供侧屏蔽体的方法和系统

权利要求书

1.一种用于制作具有中间层和空气轴承表面ABS的磁性换能器的方法，所述方法包括：

在所述中间层上提供磁极，所述磁极具有多个侧面、底部、比所述底部更宽的顶部以及紧邻ABS位置的前斜面；

提供邻近所述磁极的至少多个侧面的侧间隙；

在所述中间层上提供底部抗反射涂层BARC，所述底部抗反射涂层可通过使用液体蚀刻剂去除并且邻近所述侧间隙的至少一部分；

在所述底部抗反射涂层上提供掩膜层；

光刻地传递图案到所述掩膜层中，形成屏蔽掩模；

将一部分所述底部抗反射涂层暴露于所述液体蚀刻剂，以便所述磁极的多个侧面和所述侧间隙脱离所述底部抗反射涂层；

至少提供侧屏蔽体，所述侧屏蔽体是磁性的。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在至少所述磁极和所述侧间隙上沉积间隙层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述至少提供侧屏蔽体的步骤包括：

提供磁性顶部屏蔽体。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述底部抗反射涂层是可显影的。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述底部抗反射涂层包括ARCDS-K101。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述液体蚀刻剂是显影剂。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述光刻地传递图案的步骤进一步包括：

将所述掩膜层的一部分暴露于光；和

使用所述显影剂去除所述掩膜层的所述部分。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述将所述底部抗反射涂层暴露于所述液体蚀刻剂的步骤作为所述光刻地传递图案的步骤的一部分而执行。

9.根据权利要求2所述的方法，其中所述底部抗反射涂层的厚度不大于一百纳米。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少提供侧屏蔽体层的步骤进一步包括：

镀至少一个屏蔽体层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述磁极是垂直磁记录写入磁极。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述底部抗反射涂层暴露于所述液体蚀刻剂的部分未被所述屏蔽掩膜覆盖。

13.一种用于制作垂直磁记录PMR换能器的方法，所述PMR换能器具有中间层和空气轴承表面ABS，所述方法包括：

在所述中间层上提供PMR磁极，所述PMR磁极具有多个侧面、底部、比所述底部更宽的顶部以及紧邻ABS位置的前斜面；

提供邻近所述磁极的至少多个侧面的侧间隙，所述侧间隙是非磁性的；

在所述中间层上旋涂可显影的底部抗反射涂层BARC，所述可显影的底部抗反射涂层可通过使用显影剂去除并且具有不大于一百纳米的厚度；

在所述底部抗反射涂层上旋涂掩膜层；

将所述掩膜层的一部分暴露于光；

将所述换能器暴露于所述显影剂，所述掩膜层的所述部分和一部分所述底部抗反射涂层由所述显影剂去除，形成屏蔽掩模并且从所述PMR磁极的多个侧面以及所述侧间隙层去除所述底部抗反射涂层的任意部分；

提供磁性侧屏蔽体；

在至少所述PMR磁极和所述侧间隙上沉积非磁性间隙层；和

提供磁性顶部屏蔽体，所述非磁性间隙层置于所述PMR磁极和所述磁性顶部屏蔽体之间。