[发明专利]用于为垂直磁记录磁极提供侧屏蔽体的方法和系统

说明书

技术领域

背景技术

图1是示出用于制作常规的垂直磁记录(PMR)换能器的常规方法10的流程图。为了简单起见，省略一些步骤。常规方法10用于在氧化铝层中提供PMR磁极。经由步骤12在氧化铝层中形成沟槽。沟槽的顶部比沟槽底部宽。因此，在其中形成的PMR磁极的顶表面将比其底部宽。因此，PMR磁极的侧壁将具有反向角。沟槽的底部也可以是倾斜的，从而提供前缘斜面。经由步骤14沉积钌(Ru)间隙层。Ru间隙层用于形成侧间隙。步骤14通常包括使用化学气相沉积(CVD)沉积Ru间隙层。经由步骤16镀常规PMR磁极材料。步骤16可以包括镀铁磁磁极材料以及晶种层和/或(多个)其他层。然后可以经由步骤18执行化学机械抛光(CMP)，从而去除过量的(多种)磁极材料。然后经由步骤20可以形成顶部或者后缘斜面。经由步骤22沉积写入间隙。经由步骤24使用常规的光刻法形成常规的光致抗蚀剂屏蔽掩模。然后经由步骤26沉积环绕屏蔽体。

图2和3分别示出使用常规方法10形成的常规PMR换能器50的一部分的侧视图和空气轴承表面(ABS)视图。图2中示出形成期间的常规换能器50。常规换能器50包括中间层52。中间层52是在其上形成有磁极的层。还示出了表示磁极的前缘斜面的所使用的斜面53。还示出了光致抗蚀剂屏蔽掩模82。用于形成掩模82的图案的光的方向由图2中的直线箭头示出。图3示出在制作完成后的常规PMR换能器。还示出了Ru间隙层54，其沉积在沟槽(未示出)中。还示出了常规磁极60、写入间隙70和顶部屏蔽体80。因此，使用常规方法10可以形成磁极60。

尽管常规方法10可以提供常规PMR换能器50，但是可能存在缺点。如图2所示，光致抗蚀剂掩膜82可以显示出凹口84。抗蚀凹口84接近光致抗蚀剂掩膜82的基底。因此，步骤26中镀的屏蔽体可以具有不期望的轮廓。进一步地，凹口84可以是不可控的，尤其是在高容量工艺中。因此，可能不利地影响常规PMR换能器50的产量和/或性能。进一步地，如图3中能够看出，可以存在来自光致抗蚀剂掩膜82的抗蚀残留82’和82”。(例如顶部比底部宽的)常规磁极60和关联结构的反向角可以导致不能从接近常规磁极60的底部的阴影区域除去部分抗蚀掩模82。因此，典型的有机抗蚀残留82’和82”可以存在于最后的器件中。这种抗蚀残留82’和82”占据期望成为环绕屏蔽体80的一部分的区域。因此，性能和/或产量可以再次降低。因此，所需要的是用于制作PMR换能器的改进的方法。

发明内容

本发明描述了用于制作具有非磁性的中间层的磁性换能器的方法。在中间层上提供有磁极。该磁极具有侧面、底部、比底部更宽的顶部和紧邻ABS位置的顶部斜面。侧间隙被提供为至少邻近磁极的侧面。底部抗反射涂层(BARC)提供在中间层上。通过使用液体蚀刻剂可去除BARC层，并且该BARC层邻近至少一部分侧间隙。掩模层被提供在BARC层上。图案经光刻传递到掩模层中，形成屏蔽掩模。BARC层的一部分暴露于液体蚀刻剂，以便磁极的多个侧面和侧间隙脱离BARC层。提供了至少一个侧屏蔽体。该侧屏蔽体是磁性的。

附图说明

图1是示出了用于制作PMR换能器的常规方法的流程图。

图2是示出了常规PMR换能器的侧视图的图示。

图3是示出了常规PMR换能器的ABS视图的图示。

图4是示出了用于制作PMR换能器的方法的一个示例性实施例的流程图。

图5是示出了在制作期间PMR换能器的一个示例性实施例的侧视图的图示。

图6是示出了PMR换能器的一个示例性实施例的侧视图和ABS视图的图示。

图7是示出了用于制作PMR换能器的方法的另一个示例性实施例的流程图。

图8-13是示出了在制作期间磁记录换能器的一个示例性实施例的图示。

具体实施方式