[发明专利]一种双多晶电容和MOS管的集成结构及其制造方法

权利要求书

1.一种双多晶电容和MOS管的集成结构的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底表面形成阱；

在所述阱表面形成场氧化层，在所述场氧化层未覆盖的区域表面形成栅氧化层；

在所述栅氧化层的表面至少形成MOS管的多晶硅栅，并在选定的场氧化层的表面形成双多晶电容的下极板，以及位于所述下极板表面的第一介质层和位于所述第一介质层表面的第二介质层；

采用光刻、离子注入工艺形成轻掺杂源漏区，淀积与所述第一介质层相同的材料形成薄膜，并通过各向异性刻蚀所述薄膜至少形成位于所述多晶硅栅两侧的侧墙，再次采用光刻、离子注入工艺形成重掺杂源漏区，之后进行退火处理；

在所述第二介质层的表面形成双多晶电容的上极板。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述栅氧化层的表面至少形成MOS管的多晶硅栅，并在选定的场氧化层的表面形成双多晶电容的下极板，以及位于所述下极板表面的第一介质层和位于所述第一介质层表面的第二介质层的步骤包括：

依次淀积第一层多晶硅、第一介质层材料以及第二介质层材料，采用一次光刻工艺，以及刻蚀工艺，在所述栅氧化层的表面形成MOS管的多晶硅栅，在选定的场氧化层的表面形成双多晶电容的下极板，并形成位于所述多晶硅栅表面和所述下极板表面的第一介质层和位于所述第一介质层表面的第二介质层；

所述在所述第二介质层的表面形成双多晶电容的上极板的步骤包括：

淀积第二层多晶硅，并采用光刻、刻蚀工艺，在位于所述下极板上方的所述第二介质层的表面形成双多晶电容的上极板。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述淀积与所述第一介质层相同的材料形成薄膜，并通过各向异性刻蚀所述薄膜至少形成位于所述多晶硅栅两侧的侧墙的步骤包括：

淀积与第一介质层相同的材料形成薄膜，通过各向异性刻蚀所述薄膜，直至所述第二介质层上方的薄膜被完全刻蚀掉时，停止刻蚀，形成位于所述多晶硅两侧的侧墙。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为二氧化硅，所述第二介质层的材料为氮化硅。

5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度为150～400埃，所述第二介质层的厚度为100～400埃。

6.一种双多晶电容和MOS管的集成结构，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底表面的阱，位于所述阱表面的场氧化层和栅氧化层，位于选定的场氧化层表面依次形成的双多晶电容下极板、第一介质层、第二介质层和双多晶电容的上极板；并且，在所述栅氧化层表面至少形成MOS管的多晶硅栅以及位于多晶硅栅两侧的侧墙，所述集成结构还包含MOS管的源漏区，其中，在开始制作所述侧墙及MOS管的源漏区之前，完成所述双多晶电容的第一介质层、第二介质层的制作。

7.根据权利要求6所述的集成结构，其特征在于，所述第一介质层、第二介质层还覆盖在所述多晶硅栅表面，且覆盖在多晶硅栅表面第一介质层、第二介质层的图案与该多晶硅栅的图案一致，覆盖在双多晶电容的下极板表面第一介质层、第二介质层的图案与该双多晶电容的下极板的图案一致。

8.根据权利要求6或7所述的集成结构，其特征在于，所述上极板的面积小于所述下极板的面积。

9.根据权利要求6或7所述的集成结构，其特征在于，所述第一介质层的材料为二氧化硅，所述第二介质层的材料为氮化硅。

10.根据权利要求6或7所述的集成结构，其特征在于，所述第一介质层的厚度为150～400埃，所述第二介质层的厚度为100～400埃。