[发明专利]有机发光显示装置

权利要求书

1.一种有机发光显示装置，包括：

彼此面对的第一衬底和第二衬底；

有机发光装置，设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述有机发光装置包括在每个像素中单独形成的像素电极、面对所述像素电极的公共电极以及设置在所述像素电极与所述公共电极之间的有机发光层；以及

电极单元和至少一个接线单元，设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述电极单元包括至少一个薄膜晶体管以及至少一个电容器，所述至少一个薄膜晶体管被配置为将发光信号传输至所述像素电极，

其中，在所述电极单元和所述接线单元中的至少一个的表面上形成光学性质修改层，所述光学性质修改层具有从所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的光学性质修改的光学性质。

2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述光学性质修改层的反射率低于所述电极单元和所述至少一个接线单元中的每个的反射率。

3.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述光学性质修改层的光吸收率高于所述电极单元和所述至少一个接线单元中的每个的光吸收率。

4.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述光学性质修改层通过选自由透射率、折射率、衍射率以及颜色构成的组中的至少一种光学性质区别于所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个。

5.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述光学性质修改层是通过向所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的表面施加飞秒级激光束脉冲至少一次而形成。

6.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述光学性质修改层由飞秒级激光束脉冲修改的区域具有纳米级或微米级尺寸。

7.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个薄膜晶体管包括栅电极、源电级和漏电极，所述至少一个电容器包括电极。

8.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个接线单元包括栅接线单元、数据接线单元和功率接线单元。

9.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，从所述有机发光层发出的光朝向所述第二衬底发射，

其中，所述光学性质修改层形成在所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的、面对所述第二衬底的表面上，

其中，所述有机发光显示装置包括第二光学性质修改层，所述第二光学性质修改层具有从所述像素电极的光学性质修改的光学性质并且形成在所述像素电极靠近所述有机发光层的表面上。

10.如权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述第二光学性质修改层的反射率低于所述像素电极的反射率。

11.如权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述第二光学性质修改层的光吸收率高于所述像素电极的光吸收率。

12.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，从所述有机发光层发出的光朝向所述第一衬底发射，

其中，所述光学性质修改层形成在所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的、面对所述第一衬底的表面上，

其中，所述有机发光显示装置包括第二光学性质修改层，所述第二光学性质修改层具有从所述像素电极的光学性质修改的光学性质并且形成在所述公共电极靠近所述有机发光层的表面上。

13.如权利要求12所述的有机发光显示装置，其中，所述第二光学性质修改层的反射率低于所述公共电极的反射率。

14.如权利要求12所述的有机发光显示装置，其中，所述第二光学性质修改层的光吸收率高于所述公共电极的光吸收率。

15.如权利要求12所述的有机发光显示装置，其中，所述第二光学性质修改层仅形成在与所述像素电极相对应的区域上。

16.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一衬底和所述第二衬底中的至少一个是透明衬底，

其中，所述有机发光显示装置还包括至少一个透明干涉层，所述至少一个透明干涉层设置在所述透明衬底的、外部光线入射的表面上。

17.如权利要求16所述的有机发光显示装置，其中，所述透明干涉层的厚度等于外部光线的波长的1/4。