[发明专利]有机发光显示装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2011年3月21日向韩国知识产权局提交的第10-2011-0024993号韩国专利申请的权益，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本文公开内容涉及有机发光显示装置，更具体地，涉及可以将外部光线反射导致的对比度的下降最小化的有机发光显示装置。

背景技术

有机发光显示装置作为自发光显示装置在宽视角和快速响应时间上具有优势。然而，有机发光显示装置的缺点是，如果有机发光显示装置在外部光线环境下显示图像，则外部光线被构成有机发光显示装置中的电极和接线的金属材料反射，从而降低对比度。

一般来说，为了使对比度的下降最小化，会使用价格偏高的偏振板。然而，使用这种偏振板会使成本增加，并会由于从发光层发射出的光被阻挡而降低透射率，并降低亮度。

为了使对比度的下降最小化，可以在电极或接线上形成黑矩阵。然而，使用这种黑矩阵的方法会需要额外的掩模过程来形成黑矩阵，这使得制作过程变得复杂。

发明内容

本发明的一个方面提供了一种有机发光显示装置，其可通过改变电极单元和接线单元表面的光学性质来改善对比度。

根据本发明的一个方面，提供了一种有机发光显示装置，包括：彼此面对的第一衬底和第二衬底；有机发光装置，设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述有机发光装置包括在每个像素中单独形成的像素电极、面对所述像素电极的公共电极以及设置在所述像素电极与所述公共电极之间的有机发光层；以及电极单元和至少一个接线单元，设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间，所述电极单元包括至少一个薄膜晶体管以及至少一个电容器，所述至少一个薄膜晶体管被配置为将发光信号传输至所述像素电极，其中，在所述电极单元和所述接线单元中的至少一个的表面上形成光学性质修改层，所述光学性质修改层具有从所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的光学性质修改的光学性质。

所述光学性质修改层的反射率可低于所述电极单元和所述至少一个接线单元中的每个的反射率。

所述光学性质修改层的光吸收率可高于所述电极单元和所述至少一个接线单元中的每个的光吸收率。

所述光学性质修改层可通过选自由透射率、折射率、衍射率以及颜色构成的组中的至少一种光学性质区别于所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个。

所述光学性质修改层可以是通过向所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的表面施加飞秒级激光束脉冲至少一次而形成的。

所述光学性质修改层由飞秒级激光束脉冲修改的区域可具有纳米级或微米级尺寸。

所述至少一个薄膜晶体管包括栅电极、源电级和漏电极，所述至少一个电容器包括电极。

所述至少一个接线单元可包括栅接线单元、数据接线单元和功率接线单元。

从所述有机发光层发出的光可朝向所述第二衬底发射，其中，所述光学性质修改层形成在所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的、面对所述第二衬底的表面上，其中，所述有机发光显示装置包括第二光学性质修改层，所述第二光学性质修改层具有从所述像素电极的光学性质修改的光学性质并且形成在所述像素电极靠近所述有机发光层的表面上。

所述第二光学性质修改层的反射率可低于所述像素电极的反射率。

所述第二光学性质修改层的光吸收率可高于所述像素电极的光吸收率。

从所述有机发光层发出的光可朝向所述第一衬底发射，其中，所述光学性质修改层形成在所述电极单元和所述接线单元中的所述至少一个的、面对所述第一衬底的表面上，其中，所述有机发光显示装置包括第二光学性质修改层，所述第二光学性质修改层具有从所述像素电极的光学性质修改的光学性质并且形成在所述公共电极靠近所述有机发光层的表面上。

所述第二光学性质修改层的反射率可低于所述公共电极的反射率。

所述第二光学性质修改层的光吸收率可高于所述公共电极的光吸收率。

所述第二光学性质修改层可仅形成在与所述像素电极相对应的区域上。

所述第一衬底和所述第二衬底中的至少一个可以是透明衬底，其中，所述有机发光显示装置还包括至少一个透明干涉层，所述至少一个透明干涉层设置在所述透明衬底的、外部光线入射的表面上。

所述透明干涉层的厚度可约等于外部光线的波长的1/4。

所述透明干涉层的折射率可低于所述透明衬底的折射率。

所述透明干涉层可包括氟化镁、二氧化硅、具有高折射率的透明材料、或其组合。