[发明专利]非挥发性存储器的数据自动比较测试电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种非挥发性存储器的数据自动比较测试电路。

背景技术

现有技术中，非挥发性存储器(NVM)一般需要通过的内建自测电路(BIST)进行测试。由于不同型号的非挥发性存储器的行地址(Ca)、列地址(Ra)及块地址(Ba)的分配有所不同，即不同系列的非挥发性存储器Ca、Ra、Ba地址有一定的差异，现有BIST电路中一般是通过对每一种非挥发性存储器都设置一个加法器来实现对每一种非挥发性存储器的地址的累加，这样会造成BIST电路中产生N个加法器用于完成N种不同方式的自动数据比较，电路面积大。

同一系列的非挥发性存储器虽然有相同的Ca、Ra、Ba的划分，但是由于各非挥发性存储器如Flash的容量的不同，地址可能出现地址不满(即不全为1)的情况。现有BIST电路中是设定最大的块地址边界，当到达块边界时地址返回，但这种方式仍然不能解决列地址不满的情况，且地址比较时需等待比较到最大地址才会停止，数据自动比较的灵活性低。

现有BIST电路中的数据自动比较电路只支持数据的固定位宽比较，即当输出数据的位宽为32-bit时只进行32-bit的数据比较，不能灵活的控制比较的位宽。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种非挥发性存储器的数据自动比较测试电路，能减少加法电路的使用、减少电路面积，能灵活有效的实现地址的分段比较，能实现不同位数的数据灵活比较。

为解决上述技术问题，本发明提供一种非挥发性存储器的数据自动比较测试电路，数据自动比较测试电路包括：地址累加器、地址映射选择器、系统控制器、地址边界控制器。

所述系统控制器为所述地址累加器、所述地址映射选择器和所述地址边界控制器提供控制信号。

所述地址累加器由n位地址寄存器组成，用于完成数据自动比较测试电路的测试电路地址的加减。

所述地址映射选择器在所述系统控制器的控制信号的控制下，实现所述地址累加器中的所述测试电路地址和非挥发性存储器中的非挥发性存储器地址之间的映射，并按照映射关系产生所述非挥发性存储器地址。

所述地址边界控制器由段地址产生模块和段地址计算模块组成。所述段地址产生模块用于将所述非挥发性存储器分割成多个数据段，所述数据段的个数由所述系统控制器决定。所述段地址计算模块根据所述数据段的划分，计算各所述数据段的地址边界以及产生分段比较的停止条件。

进一步的改进是，所述非挥发性存储器地址包括行地址、列地址和块地址，所述地址累加器的位宽n为所述非挥发性存储器地址的所述行地址、所述列地址和所述块地址的宽度的和。

进一步的改进是，所述测试电路地址和所述非挥发性存储器地址之间的映射关系共有六种，分别为：8位数据行比较映射、16位数据行比较映射、32位数据行比较映射、8位数据列比较映射、16位数据列比较映射、32位数据列比较映射。

进一步的改进是，所述段地址产生模块中包括数据段大小寄存器，通过设置数据段大小寄存器的值来设置所述数据段的大小；所述段地址产生模块中包括数据段个数寄存器，通过设置数据段个数寄存器的值来设置需要进行比较测试的所述数据段的个数；所述段地址计算模块中包括段边界寄存器，在该段边界寄存器中设定各所述数据段的地址边界值，各所述数据段的地址边界值为各所述数据段对应的所述测试电路地址的最大地址值；所述段地址计算模块根据所述数据段大小寄存器的值、所述数据段个数寄存器的值和各所述数据段的地址边界值计算出分段比较的停止条件。

进一步的改进是，所述数据自动比较测试电路还包括比较方式选择器，用于设定比较方式，比较方式共有四种，分别为：行加、行减、列加和列减。

进一步的改进是，所述数据自动比较测试电路还包括最大位数选择器，用于设定用于比较的数据的位宽，数据的位宽共有3种，分别为：8位、16位和32位。

本发明具有如下有益效果：

1、实现了地址的统一连续的运算，通过地址的映射关系实现了测试电路地址与NVM Flash地址的转换，减少了加法电路的使用，减小了电路的实现面积。

2、通过加入数据段的地址的选择及控制，可对的NVM存储空间分段，并设定自动比较的数据段范围，产生分段比较的停止信号，灵活有效的实现数据的分段比较。

3、通过设置比较位数寄存器可实现8位、16位、32位数据的灵活比较。

附图说明