[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备半导体基板和设置于所述半导体基板上的第一半导体元件，其中，

所述第一半导体元件具有：

设置于所述半导体基板上的第一导电型的第一半导体层；

设置于所述第一半导体层上的第一导电型的第二半导体层；

设置于所述第一半导体层上的、与所述第二半导体层相邻的第一导电型的第三半导体层；

从所述第二半导体层的表面以及所述第三半导体层的表面到各自的内部而设置的第一绝缘层；

选择性地设置于所述第二半导体层的表面的第二导电型的第一基底区域；

选择性地设置于所述第一基底区域的表面的第一导电型的第一源区域；

从所述第一绝缘层的表面到内部而设置的、隔着所述第一绝缘层与所述第一基底区域相邻的第一栅电极；

设置于所述第一基底区域下的所述第二半导体层内的、从所述第一半导体层的表面延伸到所述第一基底区域侧的第一导电型的第一漂移层；

与所述第一源区域相对、夹着所述第一绝缘层而设置于所述第三半导体层的表面的第一导电型的第一漏区域；

与所述第一源区域电连接的第一源电极；和

与所述第一漏区域电连接的第一漏电极，

所述第一漂移层所含的第一导电型的杂质元素的浓度比所述第一半导体层所含的第一导电型的杂质元素的浓度低，

所述第一漂移层所含的第一导电型的杂质元素的浓度比所述第二半导体层所含的第一导电型的杂质元素的浓度高。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备设置于所述半导体基板上的第二半导体元件，

所述第二半导体元件具有：

设置于所述半导体基板上的第一导电型的第四半导体层；

设置于所述第四半导体层上的第一导电型的第五半导体层；

设置于所述第四半导体层上的、与所述第五半导体层相邻的第一导电型的第六半导体层；

从所述第五半导体层的表面以及所述第六半导体层的表面到各自的内部而设置的第二绝缘层；

选择性地设置于所述第五半导体层的表面的第二导电型的第二基底区域；

选择性地设置于所述第二基底区域的表面的第一导电型的第二源区域；

从所述第二绝缘层的表面到内部而设置的、隔着所述第二绝缘层与所述第二基底区域相邻的第二栅电极；

设置于所述第二基底区域下的第五半导体层内的、从所述第四半导体层的表面延伸到所述第二基底区域侧的第一导电型的第二漂移层；

与所述第二源区域相对、夹着所述第二绝缘层而设置于所述第六半导体层的表面的第一导电型的第二漏区域；

与所述第二源区域电连接的第二源电极；和

与所述第二漏区域电连接的第二漏电极，

所述第二漂移层所含的第一导电型的杂质元素的浓度比所述第四半导体层所含的第一导电型的杂质元素的浓度低，

所述第二漂移层所含的第一导电型的杂质元素的浓度比所述第六半导体层所含的第一导电型的杂质元素的浓度高，

所述第一漂移层与所述第二漂移层具有实质不同的构成。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第一漂移层的厚度与所述第二漂移层的厚度不同。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第一漂移层所含的第一导电型的杂质元素的浓度与所述第二漂移层所含的第一导电型的杂质元素的浓度不同。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一漂移层所含的第一导电型的杂质元素浓度曲线的峰值比所述第一半导体层所含的第一导电型的杂质元素的浓度低；

所述第一漂移层所含的第一导电型的杂质元素浓度曲线的峰值比所述第二半导体层所含的第一导电型的杂质元素的浓度高。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

由所述第一栅电极与所述第二半导体层夹着的所述第一绝缘层的厚度以及由所述第一栅电极与所述第三半导体层夹着的所述第一绝缘层的厚度，比由所述第一栅电极与所述第一基底区域夹着的所述第一绝缘层的厚度厚。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一漂移层不与所述第一绝缘层接触或者与所述第一绝缘层的一部分接触。