[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

后述的实施方式一般涉及半导体装置。

背景技术

作为功率MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)场效应晶体管之一有横向DMOS(Double Diffused Metal Oxide Semiconductor，双扩散金属氧化物半导体)场效应晶体管。在DMOS场效应晶体管中，一般来说采用延长漂移区域的长度(漂移长度)、以提高元件的耐压的方法策略。

但是，如果为了提高元件的耐压而如上所述采取延长漂移长度的方法，则在横向DMOS场效应晶体管中存在元件面积增加这样的问题。

发明内容

本发明将要解决的问题在于提供即便具有高耐压的半导体元件仍能够抑制元件面积的增大的半导体装置。

实施方式的半导体装置，具备半导体基板和设置于所述半导体基板上的第一半导体元件，其特征在于，所述第一半导体元件具备：设置于所述半导体基板上的第一导电型的第一半导体层；设置于所述第一半导体层上的第一导电型的第二半导体层；设置于所述第一半导体层上的、与所述第二半导体层相邻的第一导电型的第三半导体层；从所述第二半导体层的表面以及所述第三半导体层的表面到各自的内部而设置的第一绝缘层；选择性地设置于所述第二半导体层的表面的第二导电型的第一基底区域；选择性地设置于所述第一基底区域的表面的第一导电型的第一源区域；从所述第一绝缘层的表面到内部而设置的、隔着所述第一绝缘层与所述第一基底区域相邻的第一栅电极；设置于所述第一基底区域下的所述第二半导体层内的、从所述第一半导体层的表面延伸到所述第一基底区域侧的第一导电型的第一漂移层；与所述第一源区域相对、夹着所述第一绝缘层而设置于所述第三半导体层的表面的第一导电型的第一漏区域；与所述第一源区域电连接的第一源电极；和与所述第一漏区域电连接的第一漏电极，

所述第一漂移层所含的第一导电型的杂质元素的浓度比所述第一半导体层所含的第一导电型的杂质元素的浓度低，所述第一漂移层所含的第一导电型的杂质元素的浓度比所述第二半导体层所含的第一导电型的杂质元素的浓度高。

根据上述结构的半导体装置，即便具有高耐压的半导体元件也能够抑制元件面积的增大。

附图说明

图1是实施方式所涉及的半导体装置的俯视模式图。

图2是实施方式所涉及的半导体装置的剖视模式图。

图3是用于说明实施方式所涉及的半导体装置的作用的剖视模式图。

图4是说明漂移层的厚度以及漂移层内的杂质浓度、与耐压的关系的图。

图5是用于说明参考例所涉及的半导体装置的作用的剖视模式图。

图6是实施方式的变形例所涉及的半导体装置的剖视模式图。

具体实施方式

实施方式的半导体装置具备半导体基板和设置于所述半导体基板上的第一半导体元件。

所述第一半导体元件具备：设置于所述半导体基板上的第一导电型的第一半导体层；设置于所述第一半导体层上的第一导电型的第二半导体层；设置于所述第一半导体层上并与所述第二半导体层相邻的第一导电型的第三半导体层；从所述第二半导体层的表面以及所述第三半导体层的表面到各自的内部而设置的第一绝缘层；选择性地设置于所述第二半导体层的表面的第二导电型的第一基底区域；选择性地设置于所述第一基底区域的表面的第一导电型的第一源区域；从所述第一绝缘层的表面到内部而设置的、隔着所述第一绝缘层与所述第一基底区域相邻的第一栅电极；设置于所述第一基底区域下的所述第二半导体层内的、从所述第一半导体层的表面延伸到所述第一基底区域侧的第一导电型的第一漂移层；与所述第一源区域相对、夹着所述第一绝缘层而设置于所述第三半导体层表面的第一导电型的第一漏区域；与所述第一源区域电连接的第一源电极；和与所述第一漏区域电连接的第一漏电极。

所述第一漂移层所含的第一导电型杂质元素的浓度比所述第一半导体层所含的第一导电型杂质元素的浓度低。所述第一漂移层所含的第一导电型杂质元素的浓度比所述第二半导体层所含的第一导电型杂质元素的浓度高。

下面，边参照附图边对实施方式进行说明。在下面的说明中，对同一部件标注同一附图标记，对于曾经说明了的部件适当省略对其的说明。

图1是实施方式所涉及的半导体装置的俯视模式图。

图2是实施方式所涉及的半导体装置的剖视模式图。

在图2(a)中示出了沿图1的A-B线的位置处的剖面，在图2(b)中示出了沿图1的C-D线的位置处的剖面。