[发明专利]半导体封装结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210076345.6 申请日: 2012-03-21
公开(公告)号: CN102569274A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 金锡奉;李瑜镛 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆嘉
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装结构,包括:

一第一基板,具有一上表面及一下表面;

一第一管芯,邻接于该第一基板的上表面,且电性连接至该第一基板的上表面;

一第一封胶,包覆该第一管芯及该第一基板的上表面;

一第二基板,具有一上表面及一下表面,该第二基板的下表面黏附于该第一封胶上;及

至少一导通柱,贯穿该第一基板、该第一封胶及该第二基板。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该第一基板还具有至少一第一上焊垫及至少一第一下焊垫,该至少一第一上焊垫邻接于该第一基板的上表面,该至少一第一下焊垫邻接于该第一基板的下表面,且该至少一导通柱贯穿该至少一第一上焊垫及该至少一第一下焊垫。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括一中间胶层,该第二基板的下表面利用该中间胶层黏附于该第一封胶上,且该至少一导通柱贯穿该中间胶层。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该第二基板还具有至少一第二上焊垫及至少一第二下焊垫,该至少一第二上焊垫邻接于该第二基板的上表面,该至少一第二下焊垫邻接于该第二基板的下表面,且该至少一导通柱贯穿该至少一第二上焊垫及该至少一第二下焊垫。

5.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,该至少一导通柱的二端分别显露于该第一基板的下表面及该第二基板的上表面。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括一第二管芯,邻接于该第二基板的上表面,且电性连接至该第二基板的上表面。

7.如权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,还包括一第二封胶,其包覆该第二管芯及该第二基板的上表面。

8.一种半导体封装结构的制造方法,包括以下步骤:

(a)提供一第一基板,该第一基板具有一上表面及一下表面;

(b)附着一第一管芯于该第一基板的上表面,且电性连接该第一管芯至该第一基板的上表面;

(c)形成一第一封胶以包覆该第一管芯及该第一基板的上表面;

(d)提供一第二基板,该第二基板具有一上表面及一下表面,且黏附该第二基板的下表面于该第一封胶上;

(e)形成至少一贯穿孔以贯穿该第一基板、该第一封胶及该第二基板;及

(f)形成一导电金属于该至少一贯穿孔内以形成至少一导通柱。

9.如权利要求8所述的制造方法,其特征在于,该步骤(a)中,该第一基板还具有至少一第一上焊垫及至少一第一下焊垫,该至少一第一上焊垫邻接于该第一基板的上表面,该至少一第一下焊垫邻接于该第一基板的下表面,且该步骤(e)中,该至少一贯穿孔贯穿该至少一第一上焊垫及该至少一第一下焊垫。

10.如权利要求8所述的制造方法,其特征在于,该步骤(d)中,该第二基板的下表面利用一中间胶层黏附于该第一封胶上;该步骤(e)中,该至少一贯穿孔贯穿该中间胶层;且该步骤(f)中,该至少一导通柱贯穿该中间胶层。

11.如权利要求8所述的制造方法,其特征在于,该步骤(d)中,该第二基板还具有至少一第二上焊垫及至少一第二下焊垫,该至少一第二上焊垫邻接于该第二基板的上表面,该至少一第二下焊垫邻接于该第二基板的下表面,且该步骤(e)中,该至少一贯穿孔贯穿该至少一第二上焊垫及该至少一第二下焊垫。

12.如权利要求8所述的制造方法,其特征在于,该步骤(f)中,该至少一导通柱的二端分别显露于该第一基板的下表面及该第二基板的上表面。

13.如权利要求8所述的制造方法,其特征在于,还包括一附着一第二管芯于该第二基板的上表面,且电性连接该第二管芯至该第二基板的上表面的步骤。

14.如权利要求13所述的制造方法,其特征在于,还包括一形成一第二封胶以包覆该第二管芯及该第二基板的上表面的步骤。

15.如权利要求14所述的制造方法,其特征在于,还包括一切割该第一基板、该第一封胶、该第二基板及该第二封胶的步骤。

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