[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明关于一种半导体封装结构及其制造方法，详言之，关于一种堆栈式半导体封装结构及其制造方法。

背景技术

已知堆栈式半导体封装结构具有一上封装结构、一下封装结构及多个焊球。这些焊球位于该下封装结构的基板上。该上封装结构的下表面接触这些焊球，以电性连接至该下封装结构。在该已知堆栈式半导体封装结构中，这些焊球为球状，因此二个焊球间的间距无法有效缩小，否则容易发生桥接(Bridge)的问题，进而造成短路的情况。

因此，有必要提供一种半导体封装结构及其制造方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种半导体封装结构，其包括一第一基板、一第一管芯、一第一封胶、一第二基板及至少一导通柱。该第一基板具有一上表面及一下表面。该第一管芯邻接于该第一基板的上表面，且电性连接至该第一基板的上表面。该第一封胶包覆该第一管芯及该第一基板的上表面。该第二基板具有一上表面及一下表面，该第二基板的下表面黏附于该第一封胶上。该导通柱贯穿该第一基板、该第一封胶及该第二基板。

在本发明中，该导通柱用以作为垂直方向电性连接的组件。由于该导通柱的外径比已知焊球小，因此可缩小彼此间距且增加密度。

本发明另提供一种半导体封装结构的制造方法，其包括以下步骤：(a)提供一第一基板，该第一基板具有一上表面及一下表面；(b)附着一第一管芯于该第一基板的上表面，且电性连接该第一管芯至该第一基板的上表面；(c)形成一第一封胶以包覆该第一管芯及该第一基板的上表面；(d)提供一第二基板，该第二基板具有一上表面及一下表面，且黏附该第二基板的下表面于该第一封胶上；(e)形成至少一贯穿孔以贯穿该第一基板、该第一封胶及该第二基板；及(f)形成一导电金属于该至少一贯穿孔内以形成至少一导通柱。

附图说明

图1显示本发明半导体封装结构的一实施例的示意图；及

图2至图10显示本发明半导体封装结构的制造方法的一实施例的示意图。

具体实施方式

参考图1，显示本发明半导体封装结构的一实施例的示意图。该半导体封装结构1包括一第一基板10、一第一管芯12、多条第一导线13、一第一封胶14、一第二基板16、一第二管芯18、多条第二导线19、一第二封胶20、至少一导通柱22、一中间胶层24及多个焊球26。

该第一基板10，例如一有机基板，具有一上表面101、一下表面102、至少一第一上焊垫103及至少一第一下焊垫104。该至少一第一上焊垫103邻接于该第一基板10的上表面101，该至少一第一下焊垫104邻接于该第一基板10的下表面102。

该第一管芯12邻接于该第一基板10的上表面101，且电性连接至该第一基板10的上表面101。在本实施例中，该第一管芯12利用一第一胶层121黏附于该第一基板10的上表面101，且利用这些第一导线13电性连接至该第一基板10的上表面101。然而，在其它实施例中，该第一管芯12利用倒装焊方式电性连接至该第一基板10的上表面101。

该第一封胶14包覆该第一管芯12、这些第一导线13及该第一基板10的上表面101。该中间胶层24位于该第一封胶14的上表面，其中该中间胶层24的表面积实质上等于该第一封胶14的上表面的表面积。

该第二基板16，例如一有机基板，具有一上表面161、一下表面162、至少一第二上焊垫163及至少一第二下焊垫164。该第二基板16的下表面162利用该中间胶层24黏附于该第一封胶上14。该至少一第二上焊垫163邻接于该第二基板16的上表面161，该至少一第二下焊垫164邻接于该第二基板16的下表面162。

该第二管芯18邻接于该第二基板16的上表面161，且电性连接至该第二基板16的上表面161。在本实施例中，该第二管芯18利用一第二胶层181黏附于该第二基板16的上表面161，且利用这些第二导线19电性连接至该第二基板16的上表面161。然而，在其它实施例中，该第二管芯18利用倒装焊方式电性连接至该第二基板16的上表面161。

该第二封胶20包覆该第二管芯18、这些第二导线19及该第二基板16的上表面161。

该至少一导通柱22贯穿该第一基板10、该第一封胶14及该第二基板16。在本实施例中，该至少一导通柱22的材质为铜，其贯穿该至少一第一上焊垫103、该至少一第一下焊垫104、该至少一第二上焊垫163及该至少一第二下焊垫164，且该至少一导通柱22的二端分别显露于该第一基板10的下表面102及该第二基板16的上表面161。