[发明专利]一种OLED复合透明阴极结构及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及OLED发光技术领域，特别涉及一种OLED复合透明阴极结构及其制备方法。

背景技术

顶发射AMOLED(被动式有机电致发光二极管)可有效解决由于复杂TFT(薄膜场效应管)补偿电路所带来的开口率降低及显示屏亮度降低问题，同时通过利用顶发射AMOLED器件结构中存在的微腔效应，还可以对AMOLED显示屏的显示色域进行改善，提高显示效果。

作为顶发射AMOLED光线必须透射部分，透明阴极对顶发射AMOLED器件性能有着至关重要的影响，透光度和导电度是透明阴极必须考虑的重要因素，常用的阴极材料如Al、Mg-Ag(镁银合金)、Ag、Ca等只有在非常薄(一般在20nm以下)的厚度下才具有很好的光线穿透特性，但是当阴极层很薄时，常常会有断路或者金属容易氧化的问题，不能形成有效的欧姆接触，在界面上易形成缺陷导致电荷注入过程损耗增加，同时，随着金属阴极层厚度变薄，阴极的方阻会增加，会导致AMOLED显示屏出现亮度不均匀问题。因此，顶发射AMOLED的透明阴极要同时考虑透光度和导电度问题。

传统技术中的透明阴极结构一般为单层结构，常采用Mg-Ag材料作透明阴极层；采用这种透明阴极结构制备成的OLED器件结构如图1所示，其包括玻璃基板1、像素限定层2、反射/透明阳极3、空穴注入和空穴传输层4、发光层5、电子传输/注入层6、透明阴极层7；此种OLED器件的透光度好，但是导电度低，因此亮度低；

在传统技术中，也有部分透明阴极结构采用双层结构，其采用Al材料作透明阴极层，采用Ag材料作辅助透明阴极层，辅助透明阴极层位于透明阴极上方并与透明阴极层与一起形成复合透明阴极结构；采用这种复合透明阴极结构制备成的OLED器件结构如图2所示，其包括玻璃基板1、像素限定层2、反射/透明阳极3、空穴注入和空穴传输层4、发光层5、电子传输/注入层6、透明阴极层7、辅助透明阴极层8；此种OLED器件的导电度高，然而透光度不好，因此亮度也无法满足要求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提出一种OLED复合透明阴极结构，解决传统技术中的透明阴极结构或者复合透明阴极结构的导电度或透光度不好，而造成亮度无法满足要求的问题；此外，本发明还提出该OLED复合透明阴极结构的制备方法。

本发明解决上述技术问题所采用的方案是：一种OLED复合透明阴极结构，包括：

透明阴极层及辅助透明阴极层，辅助透明阴极层位于透明阴极层上方；所述透明阴极层采用Mg-Ag合金材料制成，所述辅助透明阴极层采用Ag材料制成。

进一步，所述透明阴极层的膜厚范围为1～30nm；辅助透明阴极层的膜厚范围为1～50nm，但透明阴极层和辅助透明阴极层的总厚度不超过51nm。

进一步，所述透明阴极层的膜厚为10nm，所述辅助透明阴极层的膜厚为10nm。

进一步，所述Mg-Ag合金材料中，Mg的质量百分比范围为30％～0.1％，Ag的质量百分比范围为70％～99.9％。

一种OLED复合透明阴极结构的制备方法，包括以下步骤：

a.在真空条件下，利用热蒸镀或者电子束蒸镀技术，蒸镀一定厚度的Mg-Ag合金材料作为透明阴极层；

b.在真空条件下，在透明阴极层的上方，利用热蒸镀或者电子束蒸镀技术，蒸镀一定厚度的Ag材料作为辅助透明阴极层。

进一步，步骤a中，蒸镀10nm的Mg-Ag合金材料作为透明阴极层。

进一步，步骤b中，蒸镀10nm的Ag材料作为辅助透明阴极层。

进一步，所述Mg-Ag合金材料中，Mg的质量百分比范围为30％～0.1％，Ag的质量百分比范围为70％～99.9％。

本发明的有益效果是：采用Mg-Ag合金材料作为透明阴极层，采用Ag材料作为辅助透明阴极层，形成双层结构的复合透明阴极结构，具备较好的透光度和导电度，满足亮度需求。

附图说明

图1为采用单层结构的透明阴极制备的OLED器件结构示意图；

图2为采用双层结构的复合透明阴极制备的OLED器件结构示意图；

图3为不同膜厚的Ag的透光度曲线图；

图4为不同膜厚的Mg:Ag合金的透光度曲线图；

图中，1为玻璃基板、2为像素限定层、3为反射/透明阳极、4为空穴注入和空穴传输层、5为发光层、6为电子传输/注入层、7为透明阴极层、8为辅助透明阴极层。

具体实施方式