[发明专利]通孔侧壁形貌修饰方法有效
| 申请号： | 201210077037.5 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102610560A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 黄智林;严利均 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 侧壁 形貌 修饰 方法 | ||
1.一种通孔侧壁形貌修饰方法，其特征在于，包括：
提供硅衬底，所述硅衬底内形成有通孔，所述通孔侧壁具有第一粗糙度；
采用针对所述通孔侧壁的凸出部的氧化工艺对所述凸出部进行氧化；
采用湿法刻蚀溶液对氧化后的硅衬底进行浴洗，形成具有第二粗糙度的所述通孔侧壁，且第二粗糙度小于第一粗糙度。
2.如权利要求1所述通孔侧壁形貌修饰方法，其特征在于，所述氧化工艺为含有O的等离子体处理工艺或高温氧化工艺。
3.如权利要求2所述通孔侧壁形貌修饰方法，其特征在于，所述高温氧化工艺为湿法高温氧化工艺或干法高温氧化工艺。
4.如权利要求2所述通孔侧壁形貌修饰方法，其特征在于，所述含有O的等离子体处理的工艺参数为：等离子体刻蚀腔体压力为20毫托至1托，源射频频率为0.4兆赫兹至162兆赫兹，偏压射频频率为0.4兆赫兹至40兆赫兹，源射频功率为2000瓦至5000瓦，偏压射频功率为30瓦至500瓦，刻蚀气体为含有O的氧化性气体。
5.如权利要求2所述通孔侧壁形貌修饰方法，其特征在于，所述高温氧化工艺参数为：氧化温度为600度至1300度。
6.如权利要求1所述通孔侧壁形貌修饰方法，其特征在于，所述湿法刻蚀溶液为稀释的氢氟酸或为HF和氨水的混合液。
7.如权利要求1所述通孔侧壁形貌修饰方法，其特征在于，所述浴洗工艺参数为：稀释的氢氟酸浓度为：水与氢氟酸的体积比例为100∶1～1∶1，浴洗温度为常温，浴洗时间为40分钟至60分钟。
8.如权利要求1所述通孔侧壁形貌修饰方法，其特征在于，所述通孔为硅通孔或硅盲孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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