[发明专利]半导体装置及基准电压生成电路有效
| 申请号： | 201210078261.6 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102683393A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 吉野英生 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;G05F1/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;朱海煜 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 基准 电压 生成 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第一导电型半导体衬底；
源极区域及漏极区域，设置于所述半导体衬底的表面；以及
栅极电极，隔着栅极绝缘膜设置于所述源极区域与所述漏极区域之间的区域上，
所述栅极电极具备第二导电型半导体层与在所述第二导电型半导体层的下侧产生的耗尽层。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第二导电型半导体层之下，还具备第一导电型半导体层，
在所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层的接合面产生所述耗尽层。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第二导电型半导体层与所述栅极绝缘膜的接合面产生所述耗尽层。
4.一种基准电压生成电路，包括：栅极与源极连接、漏极与电源端子连接的耗尽型MOS晶体管，以及在所述源极与接地端子之间二极管连接的增强型MOS晶体管，
所述耗尽型MOS晶体管及所述增强型MOS晶体管分别由权利要求1至3的任一项所述的半导体装置构成。
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