[发明专利]集成电路的连接件结构有效

专利信息
申请号: 201210078637.3 申请日: 2012-03-22
公开(公告)号: CN103066053B 公开(公告)日: 2018-06-15
发明(设计)人: 杜尚耘;庄曜群;曾明鸿;郭正铮;陈承先 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522
代理公司: 北京德恒律师事务所 11306 代理人: 陆鑫;房岭梅
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 金属焊盘 金属柱 连接件结构 衬底 集成电路 钝化层 种管 对准 覆盖
【说明书】:

发明涉及一种集成电路的连接件结构,其中,一种管芯包括衬底、衬底之上的金属焊盘和覆盖金属焊盘的边缘部分的钝化层。金属柱形成在金属焊盘的上方。金属柱的一部分与金属焊盘的一部分重叠。金属柱的中心与金属焊盘的中心没有对准。

技术领域

本发明涉及集成电路,更具体地,涉及集成电路的连接件结构。

背景技术

集成电路由数百万个有源器件(诸如晶体管和电容器)组成。这些器件开始彼此隔离,然后进行互连以形成功能电路。典型的互连结构包括诸如金属线(配线)的横向互连以及诸如通孔和触点的垂直互连。互连结构越来越多地决定了现代集成电路的性能和密度的限制。

在互连结构的顶部,形成连接件结构,其可以包括在相应芯片的表面上形成并露出的接合焊盘或金属凸起。通过接合焊盘/金属凸起制造电连接以将芯片连接至封装衬底或另一管芯。可以通过引线接合或倒装接合制造电连接。

一种类型的连接件结构包括电连接至由铜形成的互连结构的铝焊盘。形成钝化层和聚合物层,钝化层和聚合物层的多个部分覆盖铝焊盘的边缘部分。形成凸块底部金属化层(UBM)以延伸进入钝化层和聚合物层中的开口。铜柱和焊料罩盖可以形成在UBM上并进行回流。

发明内容

为解决上述问题,本发明提供了一种器件,包括:管芯,包括:衬底;第一金属焊盘,位于衬底的上方;钝化层,覆盖第一金属焊盘的边缘部分;以及第一金属柱,位于第一金属焊盘的上方,其中,第一金属柱的一部分与第一金属焊盘的一部分重叠,以及其中,第一金属柱的中心不与第一金属焊盘的中心对准。

其中,相对于第一金属焊盘的中心,第一金属柱的中心偏离管芯的中心。

其中,第一金属焊盘和第一金属柱位于管芯的边缘区域中,其中,边缘区域与管芯的边缘相邻,以及其中,第一金属柱的中心在基本上垂直于边缘的方向上偏移。

其中,第一金属焊盘和第一金属柱位于管芯的边角区域中,其中,边角区域与管芯的边角相邻,以及其中,第一金属柱的中心在与管芯的中心和边角之间的线基本上平行的方向上偏移。

该器件进一步包括:第二金属焊盘,位于衬底的上方;以及第二金属柱,位于第二金属焊盘的上方,其中,第二金属柱的一部分与第二金属焊盘的一部分重叠,以及其中,第二金属柱的中心与第二金属焊盘的中心对准。

其中,第二金属焊盘和第二金属柱位于管芯的内部区域中,并且比第一金属焊盘和第一金属柱更加接近管芯的中心。

该器件进一步包括:封装部件,包括接合至第一金属柱的附加金属焊盘,其中,附加金属焊盘的中心不与第一金属柱的中心对准。

该器件进一步包括:封装部件,包括接合至第一金属柱的附加金属焊盘,其中,附加金属焊盘的中心与第一金属柱的中心对准。

其中,第一金属焊盘和第一金属柱中的每一个都具有长轴和短于长轴的短轴。

该器件进一步包括:凸块底部金属化层(UBM),位于第一金属焊盘和第一金属柱之间并接触第一金属焊盘和第一金属柱。

此外,还提供了一种器件,包括:管芯,包括:衬底;第一金属焊盘,位于衬底的上方;钝化层,覆盖第一金属焊盘的边缘部分;第一金属柱,位于第一金属焊盘的上方并在钝化层的上方延伸,其中,第一金属柱和第一金属焊盘位于管芯的第一边角区域中;第二金属焊盘,位于衬底的上方;第二金属柱,位于第二金属焊盘的上方,其中,第二金属焊盘和第二金属柱位于管芯的第二边角区域中,其中,第一边角区域和第二边角区域位于管芯的中心的相对侧上,以及其中,从上向下观看管芯时,第一金属柱和第二金属柱的中心分别不与第一金属焊盘和第二金属焊盘的中心对准,并且分别相对于第一金属焊盘和第二金属焊盘的中心偏离管芯的中心;以及封装组件,接合至第一金属柱和第二金属柱,其中,封装组件选自主要由器件管芯、插入件、封装衬底、和印刷电路板组成的组。

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