[发明专利]利用外延层增加分立栅极闪存单元源极高度的方法

权利要求书

1.一种利用外延层增加分立栅极闪存单元源极高度的方法，利用该方法制造分立栅极闪存器件的源极部分的过程包含如下步骤：

步骤1、沉积源极多晶硅（101）；

步骤2、对源极多晶硅（101）进行回刻蚀；

步骤3、移除SiN层（106）； 

步骤4、对浮栅（102）进行刻蚀；

其特征在于，该方法在步骤2和步骤3之间还包含以下步骤：

步骤2.1、在源极多晶硅（101）上生长外延层（107），以增加源极（101）的高度。

2.如权利要求1所述的利用外延层增加分立栅极闪存单元源极高度的方法，其特征在于，所述外延层（107）的底部接触源极（101），两侧部接触间隔氧化层（105）。

3.如权利要求2所述的利用外延层增加分立栅极闪存单元源极高度的方法，其特征在于，外延层（107）的顶部剖面曲线呈弧形。

4.一种分立栅极闪存器件的源极结构，该源极结构利用外延层增加分立栅极闪存单元源极的高度，其特征在于，该源极结构包含设置在衬底（100）上的源极（101），以及设置在源极（101）上的外延层（107），浮栅（102）对称设置在源极（101）两侧，源极（101）与浮栅（102）之间设置绝缘间隔层（104）和间隔氧化层（105）。

5.如权利要求4所述的利用外延层增加分立栅极闪存单元源极高度的方法，其特征在于，外延层（107）的底部接触源极（101）的两侧部接触间隔氧化层（105）。