[发明专利]半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件的温度特性检查装置，包括：

电流施加部，对半导体发光元件施加正向电流；

电压检测部，通过所述电流施加部对所述半导体发光元件连续施加所述正向电流，并检测第一正向电压和在所述第一正向电压之后的时刻的第二正向电压；以及

判定部，基于所述第一正向电压和所述第二正向电压判定所述半导体发光元件的好坏。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件的温度特性检查装置，其中，

在所述正向电流被连续施加到所述半导体发光元件，并且所述第二正向电压和在所述第二正向电压之后的时刻的第三正向电压在规定的阈值范围内时，所述判定部判定所述半导体发光元件为良品。

3.如权利要求2所述的半导体发光元件的温度特性检查装置，其中，

由所述电压检测部检测出的所述第二正向电压和所述第三正向电压是在所述电流施加部开始施加所述半导体发光元件后30.0毫秒到200.0毫秒之间检测出的正向电压。

4.如权利要求1所述的半导体发光元件的温度特性检查装置，其中，

在所述第一正向电压和所述第二正向电压的电压之差在预定的基准电压差的范围内时，所述判定部判定所述半导体发光元件为良品。

5.一种半导体发光元件的温度特性检查装置，包括：

电流施加部，对半导体发光元件施加正向电流；

电压检测部，通过所述电流施加部对所述半导体发光元件连续施加所述正向电流，并检测第一正向电压和在所述第一正向电压之后的时刻的第二正向电压；

光输出检测部，通过所述电流施加部对所述半导体发光元件连续施加所述正向电流，并检测第一光输出和在所述第一光输出之后的时刻的第二光输出；以及

判定部，基于所述第一正向电压和所述第二正向电压、以及所述第一光输出和所述第二光输出判定所述半导体发光元件的好坏。

6.如权利要求5所述的半导体发光元件的温度特性检查装置，其中，

在所述第一光输出和所述第二光输出之差在预定的基准光输出值之差的范围内时，所述判定部判定所述半导体发光元件为良品。

7.如权利要求5所述的半导体发光元件的温度特性检查装置，其中，

在所述第一光输出和所述第二光输出、以及由所述第一正向电压和所述第二正向电压求出的光输出值之差的值在预定的基准光输出值之差的范围内时，所述判定部判定所述半导体发光元件为良品。

8.如权利要求5至权利要求7的任何一项所述的半导体发光元件的温度特性检查装置，其中，

所述温度特性检查装置还包括波长检测部，用于检测所述光输出检测部的输出波形的波长，

在第一波长和第二波长之差的值在预定的基准波长之差的范围内时，所述判定部判定所述半导体发光元件为良品，所述第一波长是对应于所述第一光输出的所述波长检测部的输出，所述第二波长是对应于所述第二光输出的所述波长检测部的输出。

9.一种半导体发光元件的温度特性检查方法，包括：

对半导体发光元件施加正向电流的步骤；

对所述半导体发光元件连续施加所述正向电流，并检测第一正向电压和在所述第一正向电压之后的时刻的第二正向电压的步骤；以及

基于所述第一正向电压和所述第二正向电压判定所述半导体发光元件为良品的步骤。

10.如权利要求9所述的半导体发光元件的温度特性检查方法，其中，

在所述判定的步骤中，在所述正向电流被连续施加到所述半导体发光元件，并且所述第二正向电压和在所述第二正向电压之后的时刻的第三正向电压在规定的阈值范围内时，判定所述半导体发光元件为良品。

11.一种半导体发光元件的温度特性检查方法，包括：

对半导体发光元件施加正向电流的步骤；

对所述半导体发光元件连续施加所述正向电流，并检测第一正向电压和在所述第一正向电压之后的时刻的第二正向电压的步骤；

对所述半导体发光元件连续施加所述正向电流，并检测第一光输出和在所述第一光输出之后的时刻的第二光输出的步骤；以及

基于所述第一光输出和所述第二光输出判定所述半导体发光元件为良品的步骤。