[发明专利]半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法有效

专利信息
申请号: 201210082180.3 申请日: 2012-03-26
公开(公告)号: CN102693925A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 山本宏明;渡边信幸;近江晋 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L33/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 吕晓章
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 元件 温度 特性 检查 装置 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法,尤其涉及对半导体发光元件持续施加正向电流并测定半导体发光元件的正向电压,从而检查温度特性的装置和方法。

背景技术

近年来,为了实现光的三原色即红、绿、蓝,期待蓝色发光二极管(Light emmiting diode:LED)(以下,也称作蓝色LED)的出现。在1990年代发明了氮化物类的蓝色LED,使用LED的产品的市场从信号扩大到液晶监视器的背光、以及液晶电视机的背光、家用的各种照明。安装了LED背光的液晶电视机出现价格区间合适的机种,并且迅速普及。

半导体发光二极管在呼吁节省源、节能的当今,从资源、能量的节约的观点来看,也对开发更高效率的发光二极管抱有很大期待。

进而,为了得到高效率的蓝色LED,在作为半导体发光元件(例如,蓝色LED)的制造工序之一的工序即检查工序中,实施高温温度特性检查工序,在高温温度特性检查工序中,使被检查半导体发光元件上升到最大工作保证温度附近来实验其电气特性。此时,作为将被检查半导体发光元件维持在高温的方法,通过将被检查半导体发光装置置于恒温槽内,将周围温度上升到规定温度为止,从而将被检查半导体发光元件保持在高温。

但是,虽然上述使用的恒温槽能够容易进行温度控制,但反过来,存在设备花费的费用增高的缺点。而且,存在为了提升温度而耗时的缺点。

因此,提出一种不使用恒温槽而使用半导体发光元件的自发热来进行高温特性检查的方法。

例如,(日本)特开平8-101250号公报所公开的技术中提出了如下的方法:通过使具有输出晶体管的半导体元件本身发热而成为高温,从而不使用恒温槽而进行高温特性检查,其中该输出晶体管的输出端子为开集(オ一プンコレクタ),并且该输出晶体管包括接地端子和电源供给端子之间的寄生二极管。

此外,(日本)特开平9-128996号公报所公开的技术中提出了如下的方法:在互补半导体元件中,通过将时钟输入端子设为不定,从而流过贯通电流,由此使其自身发热,通过设置在互补半导体元件的表面的温度传感器来观测互补半导体元件的表面温度,若达到规定的温度,则对时钟输入端子输入通常高温检查中使用的时钟,并进行高温特性检查。

但是,在特开平8-101250号公报所公开的高温特性检查方法中,需要另外设置具有输出端子为开集且包括接地端子和电源供给端子之间的寄生二极管的输出晶体管的、用于使自身发热的发热元件,会引起芯片面积的增大。

此外,在特开平9-128996号公报所公开的高温特性检查方法中,限定为互补半导体元件,无法应用于互补半导体元件以外。而且,该检查方法中,由于通过温度传感器测定实验器件的表面温度,因此虽然不需要恒温槽等过热部件,但需要温度传感器和测量控制装置,检查装置的结构变得复杂。此外,为了达到高温而在内部流过贯通电流从而使自身发热,因此与使用恒温槽等加热部件的情况不同,达到规定的温度为止费时。

发明内容

本发明的目的在于提供一种在半导体发光元件的高温特性检查中不增大芯片面积且能够以低成本实现的半导体发光元件的高温特性检查方法。此外,目的在于提供一种不需要温度传感器和恒温槽等装置而在短时间内实现高温特性检查的方法。

本发明主要包括:电流施加部,对半导体发光元件施加正向电流;电压检测部,通过电流施加部对半导体发光元件连续施加正向电流,并检测第一正向电压和在第一正向电压之后的时刻的第二正向电压;以及判定部,基于第一正向电压和第二正向电压判定半导体发光元件的好坏。

优选在正向电流被连续施加到半导体发光元件,并且第二正向电压和在第二正向电压之后的时刻的第三正向电压在规定的阈值范围内时,判定部判定半导体发光元件为良品。

优选由电压检测部检测出的第二正向电压和第三正向电压是在电流施加部开始施加半导体发光元件后30.0msec到200.0msec之间检测出的正向电压。

优选在第一正向电压和第二正向电压的电压之差在预定的基准电压差的范围内时,判定部判定半导体发光元件为良品。

本发明在另一方面包括:电流施加部,对半导体发光元件施加正向电流;光输出/波长检测部,通过电流施加部对半导体发光元件连续施加正向电流,并检测第一光输出/波长和在第一光输出之后的时刻的第二光输出/波长;电压检测部,检测第一正向电压和在第一正向电压之后的时刻的第二正向电压;基于第一光输出/波长和第二光输出/波长来判定半导体发光元件的好坏的判定部;以及基于第一正向电压和第二正向电压来判定半导体发光元件的好坏的判定部。

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